[实用新型]开关设备

权利要求书

1.一种开关设备，包括：

第一耗尽型晶体管，其被配置为在第一状态下在第一节点和第二节点之间传递模拟信号，并且在第二状态下将所述第一节点与所述第二节点隔离；

控制电路，其被连接到所述第一耗尽型晶体管的控制节点，所述控制电路被配置为在所述第一状态下将所述控制节点与第一电源输入端隔离，并且在所述第二状态下将所述控制节点连接到所述第一电源输入端；以及

跟踪电路，其被配置为在所述第一状态期间将所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点连接到所述第一节点并且在所述第二状态下将所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点与所述第一节点隔离。

2.根据权利要求1所述的开关设备，其中，所述控制电路包括：

反相器，其具有连接到所述第一电源输入端的输入端；以及

增强型晶体管，其被配置为接收所述反相器的输出并且使用所述反相器的所述输出来控制所述控制节点。

3.根据权利要求2所述的开关设备，包括连接到所述第一节点的第一电压鉴别器；

其中，所述反相器的第一电源输入端被配置为连接到地；

其中，所述反相器的第二电源输入端被配置为连接到所述第一电压鉴别器的输出端；并且

其中，所述第一电压鉴别器被配置为接收多个电压水平以及在所述第一电压鉴别器的所述输出端处提供大体上等于所述多个电压水平中的最低电压水平的电压水平。

4.根据权利要求3所述的开关设备，其中，所述多个电压水平包括所述电源输入端的电压水平。

5.根据权利要求3所述的开关设备，其中，所述多个电压水平包括所述第一节点的电压水平。

6.根据权利要求3所述的开关设备，包括第二电压鉴别器，所述第二电压鉴别器被连接到所述第二节点和所述第一鉴别器的所述输出端；

其中，所述第二电压鉴别器被配置为接收第二多个电压水平并且在所述第二电压鉴别器的输出端处提供大体上等于所述第二多个电压水平中的最低电压水平的电压水平；并且

其中，所述第二多个电压水平包括所述电源输入端的电压水平和所述第二节点的电压水平。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的开关设备，其中，所述跟踪电路包括第二耗尽型晶体管，所述第二耗尽型晶体管被连接到所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点，所述第二耗尽型晶体管被配置为在所述第一状态下将所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点连接到所述第一节点，并且在所述第二状态下将所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点与所述第一节点隔离。

8.根据权利要求7所述的开关设备，包括第二电源输入端，所述第二电源输入端被连接到所述第二耗尽型晶体管的控制节点；

其中，所述第一电源输入端和所述第二电源输入端被配置为在所述第一状态下接收第一电压；

其中，所述第一电源输入端被配置为在所述第二状态下接收第二电压；

其中，所述第二电源输入端被配置为在所述第二状态下接收第三电压；并且

其中，所述第三电压低于所述第二电压，并且所述第二电压低于所述第一电压。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的开关设备，其中，所述跟踪电路包括第一跟踪电路，所述第一跟踪电路被配置为在所述第一状态下将所述第一节点连接到所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点并且在所述第二状态下将所述第一节点与所述第一耗尽型设备的所述控制节点隔离；

其中，所述第一跟踪电路包括与NMOS晶体管并联连接的PMOS晶体管；

其中，所述NMOS晶体管的控制节点被连接到所述第一电源；并且

其中，当在所述第一状态下所述第一节点的电压水平低于所述地电势水平时，所述PMOS晶体管的控制节点被连接到所述第一节点。

10.根据权利要求9所述的开关设备，其中，所述跟踪电路包括第二跟踪电路，所述第二跟踪电路被配置为在所述第一状态下将所述第二节点连接到所述第一耗尽型晶体管的所述控制节点，并且在所述第二状态下将所述第二节点与所述第一耗尽型器件的所述控制节点隔离；

其中，所述第一跟踪电路包括与NMOS晶体管并联连接的PMOS晶体管；

其中，所述NMOS晶体管的控制节点被连接到所述第一电源；并且

其中，当在所述第一状态下所述第一节点的电压水平低于地电势水平时，所述PMOS晶体管的控制节点被连接到所述第一节点。