[实用新型]碳化硅合成电阻炉有效
| 申请号： | 201220097777.0 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN202519034U | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 赵建立;由远洪;孙宏寨;孙福龙;白周义;牛景林;焦松强 | 申请（专利权）人： | 新疆豫丰光伏材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 石河子恒智专利代理事务所 65102 | 代理人： | 李伯勤 |
| 地址： | 832012 新疆*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 合成 电阻炉 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅合成电阻炉，主要由炉头和炉体组成，所述炉头包含钢筋混凝土框架、耐火砖砌体、石墨电极以及耐火砖砌体与石墨电极之间的密封保护圈，其特征在于：所述钢筋混凝土框架和耐火砖砌体之间设有耐高温的缓冲填充层。
2.根据权利要求1所述的碳化硅合成电阻炉，其特征在于：所述的缓冲填充层的材质为耐高温的硅酸铝质、高铝质或氧化铝质耐火纤维中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅合成电阻炉，其特征在于：所述的缓冲填充层的厚度在10～40mm之间。
4.根据权利要求1或2所述的碳化硅合成电阻炉，其特征在于：所述的缓冲填充层的厚度在20～30mm之间。
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