[发明专利]一种用于驱动功率晶体管的驱动电路有效
申请号: | 201210596228.2 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103916113B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 曾妮 | 申请(专利权)人: | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 驱动 功率 晶体管 电路 | ||
1.一种用于驱动功率晶体管的驱动电路,包括:
转换器,其包括串联在电源端和参考端之间的第一晶体管和第二晶体管,用于接收第一信号并且根据该第一信号产生第二信号,从而利用所述第二信号有选择地控制所述功率晶体管的关闭状态;
其中所述第一晶体管被配置为当设置在所述关闭状态中时响应于所述第一信号而具有第一漏电流;
其中所述第二晶体管无论所述第一信号如何而被永久地设置在所述关闭状态中,并且被配置为在所述永久的关闭状态中具有第二漏电流;并且
其中所述第一晶体管的所述第一漏电流小于所述第二晶体管的所述第二漏电流。
2.如权利要求1所述的驱动电路,进一步包括与所述功率晶体管的栅极耦接的第一开关,其中所述第一开关由所述转换器所产生的第二信号所控制。
3.如权利要求1所述的驱动电路,其中所述第一晶体管为PMOS晶体管,其包括用于接收所述第一信号的第一栅极,与所述电源端耦接的第一源极,以及第一漏极;所述第二晶体管为NMOS晶体管,其包括耦接到所述参考端的第二栅极和第二源极,以及耦接到所述第一晶体管的第一漏极的第二漏极,其中所述第二信号是在所述第二漏极处产生的。
4.如权利要求1-3中任一所述的驱动电路,其中所述第二晶体管为NDMOS晶体管,并且所述第一漏电流是所述第一晶体管的漏-源漏电流,所述第二漏电流是所述第二晶体管的漏-衬底漏电流。
5.如权利要求4所述的驱动电路,所述第一晶体管的宽长比(W/L)小于所述第二晶体管的宽长比。
6.如权利要求2所述的驱动电路,其中所述第一开关是PMOS晶体管,其包括第三栅极用于接收所述第二信号,与所述电源端耦接的第三源极,以及与所述功率晶体管栅极耦接的第三漏极。
7.如权利要求6所述的驱动电路,其进一步包括耦接在所述第一开关的所述第三栅极和第三源极之间的钳压模块。
8.如权利要求1所述的驱动电路,其进一步包括与所述转换器耦接的信号发生器,用于接收控制信号并且根据所述控制信号产生所述第一信号。
9.如权利要求8所述的驱动电路,其中所述信号发生器包括串联的电流源,第二开关和电阻,其中所述第二开关耦接在所述电流源和所述电阻之间,所述电阻的一端与所述电源端耦接,所述电流源的一端与所述参考端耦接;并且所述第二开关由所述控制信号所控制,并且所述第一信号在所述第二开关与所述电阻相耦接的位置被输出。
10.如权利要求9所述的驱动电路,其中所述第二开关是NMOS晶体管,其包括用于接收所述控制信号的第四栅极,与所述电阻耦接的第四漏极,以及与所述电流源耦接的第四源极。
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