[发明专利]低比表面纳米二氧化硅的制备方法无效
| 申请号： | 201210583696.6 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102976343A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 孟令南;赵燕;沈俊 | 申请（专利权）人： | 宁夏胜蓝化工环保科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B82Y30/00 |
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| 地址： | 753202 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 比表面 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
1.制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于将硅在坩埚炉中熔融为液态，将纯氧通入硅液的上部空间，气态硅原子与氧分子反应生成一氧化硅。
2.制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于出坩埚炉的气流在管式反应器中停留0.1-30秒，在管式反应器中一氧化硅和氧继续反应生成二氧化硅，出管式反应器的气流和常温空气在混合器中快速混合，使气流温度下降至200℃以下，冷却后的气流经布袋设备收集二氧化硅粒子粉末。
3.按照权利要求1所述的制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于将硅在坩埚炉中熔融为液态时需要使用氩气做保护。
4.按照权利要求1所述的制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于硅液温度为1800-2600℃。
5.按照权利要求1所述的制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于每平方米硅液上纯氧的通入速率为1-30Nm3/min。
6.按照权利要求1所述的制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于原料硅中金属杂质铁、铝、钙的质量含量≤0.5％。
7.按照权利要求2所述的制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于在管式反应器中一氧化硅和氧的反应温度为800-1100℃。
8.按照权利要求1和2所述的制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于二氧化硅的平均粒径介于50-120nm之间，对应的比表面积介于30-12m2/g。
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