[发明专利]一种制备有机半导体的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制备有机半导体的处理方法。

背景技术

随着科技的发展，新型显示技术和显示器件层出不穷，使用有机半导体作为驱动的显示器件是其中重要的一个，但是目前有机半导体的制备工艺中还存在不少问题。

发明内容

本发明提供一种制备有机半导体层的处理方法，其包括使包含一种或多种有机半导体的溶液淀积在基底上形成湿膜，使用红外或远红外激光照射该湿膜进行干燥处理，其特征在于，激光波长为750-1800nm，照射时间为10-60秒，激光强度大于80kW/m²，然后自然冷却。

有益效果

本发明制备的有机半导体层经过测试分析，显示有机半导体层性能良好，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

实施例1

该制备有机半导体层的处理方法，其包括淀积一种有机半导体的溶液在基底上形成湿膜，使用红外激光照射该湿膜进行干燥处理，激光波长为750nm，照射时间为60秒，激光强度120kW/m²，然后自然冷却。

实施例2

该制备有机半导体层的处理方法，其包括淀积多种有机半导体的溶液在基底上形成湿膜，使用远红外激光照射该湿膜进行干燥处理，激光波长为1800nm，照射时间为60秒，激光强度90kW/m²，然后自然冷却。

实施例3

该制备有机半导体层的处理方法，其包括淀积包含一种或多种有机半导体的溶液在基底上形成湿膜，使用红外或远红外激光照射该湿膜进行干燥处理，激光波长为1300nm，照射时间为40秒，激光强度大于100kW/m²，然后自然冷却。