[发明专利]一种高耐压肖特基芯片无效
| 申请号： | 201210577527.1 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103000668A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;吕新立 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 肖特基 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高耐压肖特基芯片，包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基界面（4）、紧靠肖特基界面（4）下方的多晶硅（2）、多晶硅外的氧化硅层、下部的N型外延层N-EPI（5）和N型基片N+ Substrate（6），其特征在于：多晶硅（2）外的氧化硅层的底部氧化硅层（7）厚度大于边部氧化硅层（3）厚度。
2.根据权利要求1所述的一种高耐压肖特基芯片，其特征在于：所述的底部氧化硅层（7）厚度为边部氧化硅层（3）厚度的2-5倍。
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