[发明专利]一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法。

背景技术

闪存一般包括存储器单元及其外围电路。而且，对于存储器单元区域和外围电路区域的浅槽隔离工艺，都会需要进行凹槽刻蚀以及后续的凹槽填充。

图1示意性地示出了闪存的存储器单元区域A1中的第一凹槽1和外围电路区域A2中的第二凹槽2示意图。

如图1所示，闪存的存储器单元区域A1中的第一凹槽1的深宽比(AspectRatio，即，凹槽的深度/凹槽的宽度)一般比闪存的外围电路区域A2中的第二凹槽2的深宽比大。凹槽的深宽比的值越大，后续的介质层(例如氧化硅)回填越困难，越容易形成空隙。

由此，在后续对存储器单元区域A1中的第一凹槽1以及外围电路区域A2中的第二凹槽2进行电介质填充时，存储器单元区域A1中的第一凹槽1上容易形成填充缺陷，即，未完全填充电介质而形成的空隙，而这显然是不期望出现的。

所以，希望能够提供一种能够有效提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其包括：

第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽，其中第一凹槽的深宽比大于第二凹槽的深宽比；

第二步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽进行化学气相沉积，从而在第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部形成电介质；

第三步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度；

第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀；

第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽和第二凹槽进行电介质填充。

优选地，第三步骤中注入的离子为Ar离子。

优选地，在第三步骤中，根据侧壁及底部形成有电介质之后的第一凹槽的凹槽深度和凹槽宽度来调节带角度的离子注入的角度，以使得仅仅第一凹槽的侧壁上部的电介质受到离子注入。

优选地，在第二步骤中进行高密度等离子体化学气相沉积。

优选地，在第四步骤中执行湿法蚀刻，例如腐蚀剂为稀释的HF。

优选地，在第一步骤中，在形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽之后，还对第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部进行高温氧化处理。

优选地，第一凹槽和第二凹槽为浅沟槽隔离的凹槽。

根据本发明的提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法降低了存储单元区的凹槽的有效深宽比，从而使后续的电介质淀积工艺更容易实现没有空隙的填充效果。利用根据本发明的提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，可以调节凹槽中部分填充介质层的湿法蚀刻速率，形成顶部开口较大、下部较小的敞口型、有效深宽比较低的形状，从而提高后续制程的填充能力，达到实现消除或减少填充空隙的技术效果。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法的第一步骤。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法的第二步骤。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法的第三步骤。

图4示意性地示出了根据本发明实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法的第四步骤。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

下面参考图1至图4来描述根据本发明实施例的提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法。

如图1至图4所示，根据本发明实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法包括：