[发明专利]一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法

权利要求书

1.一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽，其中第一凹槽的深宽比大于第二凹槽的深宽比；

第二步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽进行化学气相沉积，从而在第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部形成电介质；

第三步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度；

第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀；

第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽和第二凹槽进行电介质填充。

2.根据权利要求1所述的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于，第三步骤中注入的离子为Ar离子。

3.根据权利要求1或2所述的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于，在第三步骤中，根据侧壁及底部形成有电介质之后的第一凹槽的凹槽深度和凹槽宽度来调节带角度的离子注入的角度，以使得仅仅第一凹槽的侧壁上部的电介质受到离子注入。

4.根据权利要求1或2所述的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于，在第二步骤中进行高密度等离子体化学气相沉积。

5.根据权利要求1或2所述的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于，在第四步骤中执行湿法蚀刻。

6.根据权利要求1或2所述的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于，在第一步骤中，在形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽之后，还对第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部进行氧化。

7.根据权利要求1或2所述的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于，第一凹槽和第二凹槽为浅沟槽隔离的凹槽。