[发明专利]提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法在审
| 申请号： | 201210576924.7 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103021957A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 闪存 控制 栅极 耦合 系数 方法 | ||
1.一种提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于包括：
浮栅层形成步骤，用于在硅片的有源区两侧形成高于有源区表面的浅沟槽隔离，并在有源区表面上依次形成栅极氧化物层和浮栅层；
附加层形成步骤，用于在浮栅层表面以及浅沟槽隔离表面形成附加层；
侧壁隔离物形成步骤，用于刻蚀附加层，从而在浅沟槽隔离的侧壁上形成侧壁隔离物；
浮栅层刻蚀步骤，用于利用侧壁隔离物对浮栅层进行刻蚀，从而在浮栅层中形成凹槽；
侧壁隔离物去除步骤，用于去除侧壁隔离物。
2.根据权利要求1所述的提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于，附加层是通过CVD沉积形成的氧化物层。
3.根据权利要求1或2所述的提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于，通过干法刻蚀执行侧壁隔离物形成步骤。
4.根据权利要求1或2所述的提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于，在侧壁隔离物去除步骤中，在去除侧壁隔离物之后，利用各向同性蚀刻对浮栅层中的凹槽进行角部圆化处理。
5.一种提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于包括：
浮栅层形成步骤，用于在硅片的有源区两侧形成高于有源区表面的浅沟槽隔离，并在有源区表面上依次形成栅极氧化物层和浮栅层；
附加层形成步骤，用于在浮栅层表面以及浅沟槽隔离表面形成附加层；
侧壁隔离物形成步骤，用于刻蚀附加层，从而在浅沟槽隔离的侧壁上形成侧壁隔离物；
硅外延步骤，用于在侧壁隔离物之间的凹进部中填充硅；
侧壁隔离物去除步骤，用于去除侧壁隔离物，从而在浮栅层上形成硅突出部。
6.根据权利要求5所述的提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于，附加层是通过CVD沉积形成的氧化物层。
7.根据权利要求6或7所述的提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于，通过选择性外延执行硅外延步骤。
8.根据权利要求6或7所述的提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于，在侧壁隔离物去除步骤中，在去除侧壁隔离物之后，利用各向同性蚀刻对硅突出部进行角部圆化处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
