[发明专利]一种LED外延结构的生长方法及其设备无效
| 申请号： | 201210574784.X | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904169A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 林翔 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 314300 浙江省海盐*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 生长 方法 及其 设备 | ||
1.一种LED外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤Ⅰ：在第一反应腔中，在生长有第一半导体层的基底上生长量子阱层；然后在所述量子阱层上生长用于防止所述量子阱层受污染的隔离层。
步骤Ⅱ：将所述生长有隔离层的基底通过转移通道转移到第二反应腔中，刻蚀隔离层后生长第二半导体层。
2.根据权利要求1所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述转移通道填充有保护气体。
3.根据权利要求2所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，当所述转移通道与所述任一反应腔连通时，保护气体压强不高于所述任一反应腔内的压强。
4.根据权利要求2所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述保护气体压强为20～40千帕。
5.根据权利要求2或3或4所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述保护气体为N2和/或NH3。
6.根据权利要求5所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述转移通道的工作温度为400~600℃。
7.根据权利要求1所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述步骤Ⅰ中所述隔离层的材质与量子垒的材质一致；所述隔离层的生长厚度为1~3个量子垒厚度。
8.根据权利要求1所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述步骤Ⅱ中的隔离层被完全刻蚀。
9.根据权利要求1所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述量子阱层是InGaN/GaN、InAlGaN/GaN、InGaN/AlGaN或InAlGaN/AlGaN量子阱层；所述第一半导体层的材质是n型GaN；所述第二半导体层的材质是p型GaN。
10.根据权利要求9所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述隔离层的材质是无掺杂的GaN。
11.根据权利要求9所述LED外延结构的生长方法，其特征在于，所述基底与所述第一半导体层之间还包括缓冲层；所述缓冲层的材质是多晶GaN。
12.一种LED外延结构生长设备，其包括第一反应腔、第二反应腔和连接所述第一反应腔与所述第二反应腔的转移通道，其特征在于：所述第一反应腔用于在生长有第一半导体层的基底上生长量子阱层；并用于在所述量子阱层上生长用于防止所述量子阱层受污染的隔离层；所述第二反应腔用于刻蚀隔离层后生长第二半导体层。
13.根据权利要求12所述LED外延结构生长设备，其特征在于，所述生长设备还包括与所述转移通道连接的保护气体源，所述保护气体源用于向所述转移通道填充保护气体。
14.根据权利要求13所述LED外延结构生长设备，其特征在于，当所述转移通道与所述任一反应腔连通时，保护气体压强不高于所述任一反应腔内的压强。
15.根据权利要求13所述LED外延结构生长设备，其特征在于，所所述生长设备还包括与所述转移通道连接的气体压强控制器，所述气体压强控制器用于控制所述保护气体压强为20～40千帕。
16.根据权利要求13或14或15所述LED外延结构生长设备，其特征在于，所述保护气体为N2和/或NH3。
17.根据权利要求13或14所述LED外延结构生长设备，其特征在于，所述生长设备还包括与所述转移通道连接的温度控制器，所述温度控制器用于控制所述转移通道的工作温度为400~600℃。
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