[发明专利]一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术，特别涉及一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）由于具有微功耗、低工作电压、无X射线辐射、高清晰度、小体积等优点，目前广泛应用于手机、掌上电脑（Personal Digital Assistant,PDA）等便携式电子产品中。在市场竞争的推动下，更轻便、显示效果更优越、价格更低的薄膜晶体管液晶显示受到了越来越多的追捧。将非晶硅栅驱动器与有源矩阵集成(amorphous silicon gate，ASG)的技术可以使薄膜晶体管液晶显示器减少一颗驱动IC，可以有效地使显示屏变的更轻、降低成本，并且可以增加显示器的可靠性。因此，近年来ASG技术逐步成为开发研究的热点。

采用ASG技术的阵列基板通常包括：显示区域、包围所述显示区域的周边区域和位于所述周边区域内的栅极驱动电路。其中，在所述显示区域内设置有多个薄膜晶体管。

如图1所示，所述薄膜晶体管包括：形成于基板100上的作为栅极的第一金属层101、形成于所述第一金属层101上的栅极绝缘层102、形成于所述栅极绝缘层102上的作为源漏极的第二金属层103、形成于所述第二金属层103上的钝化层104以及形成于所述钝化层104上的像素电极105。其中，所述钝化层104上形成有第一通孔106，所述像素电极105通过所述第一通孔106与所述第二金属层103实现电连接。

如图2所示，所述栅极驱动电路包括：形成于所述基板100上的所述第一金属层101、形成于第一金属层101上的所述栅极绝缘层102、形成于所述栅极绝缘层102上的第二金属层103以及形成于所述第二金属层103上的所述钝化层104。所述栅极绝缘层102上形成有第二通孔107，所述第二金属层103通过所述第二通孔107与所述第一金属层101电连接。

通常，所述钝化层104上的第一通孔106和所述栅极绝缘层102上的第二通孔107是采用不同的掩膜版光刻完成的，而为了制作所述薄膜晶体管的第一金属层101、第二金属层103、半导体有源层以及像素电极105还需要4张不同的掩膜版。可见，为了完成ASG技术的阵列基板，总共需要使用6张掩模版。众所周知，掩模版的设计研发和制作周期长、费用高，而且每一套掩模版进入生产场所后，还需要进行相应的维护和存放，也就是说每多一套掩模版就会造成生产成本的上升。为此需要开发减少掩模版使用数量的阵列基板。

发明内容

本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板，以减少掩模版使用数量，从而实现降低生产成本的目的。

为解决上述技术为题，本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：

步骤一：提供一基板，所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；

步骤二：在所述基板上形成第一金属层，使用第一掩模版对所述第一金属层进行光刻，形成第一金属图案；

步骤三：在所述基板和第一金属图案上形成第一绝缘层，使用第二掩模版对所述第一绝缘层进行光刻，在所述显示区域的第一绝缘层上形成第一通孔，并在所述周边区域的第一绝缘层上形成第二通孔，所述第二通孔暴露部分所述第一金属图案；

步骤四：在所述第一绝缘层上、第一通孔和第二通孔内形成第二金属层，使用第三掩模版对所述第二金属层进行光刻，形成第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；

步骤五：在所述第一绝缘层、第二金属图案上形成第二绝缘层，使用所述第二掩模版对所述第二绝缘层进行光刻，以在所述显示区域的第二绝缘层上形成第三通孔，并在所述周边区域的第二绝缘层上形成第四通孔，所述第三通孔暴露部分所述第二金属图案，所述第四通孔暴露部分所述第二金属图案；

步骤六：在所述第二绝缘层上、第三通孔和第四通孔内形成透明电极层，使用第四掩模版对所述透明电极层进行光刻以在所述显示区域内形成透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与所述第二金属图案电连接。

可选的，在所述TFT阵列基板的制造方法中，所述步骤六之后还包括：在所述透明电极图案、第二绝缘层、第二金属图案上以及第四通孔内形成保护层。

可选的，在所述TFT阵列基板的制造方法中，保护层为氮化硅或者有机膜。

可选的，在所述TFT阵列基板的制造方法中，所述有机膜为聚酰亚胺。