[发明专利]一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制造方法，包括：

步骤一：提供一基板，所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；

步骤二：在所述基板上形成第一金属层，使用第一掩模版对所述第一金属层进行光刻，形成第一金属图案；

步骤三：在所述基板和第一金属图案上形成第一绝缘层，使用第二掩模版对所述第一绝缘层进行光刻，在所述显示区域的第一绝缘层上形成第一通孔，并在所述周边区域的第一绝缘层上形成第二通孔，所述第二通孔暴露部分所述第一金属图案；

步骤四：在所述第一绝缘层上、第一通孔和第二通孔内形成第二金属层，使用第三掩模版对所述第二金属层进行光刻，形成第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；

步骤五：在所述第一绝缘层、第二金属图案上形成第二绝缘层，使用所述第二掩模版对所述第二绝缘层进行光刻，以在所述显示区域的第二绝缘层上形成第三通孔，并在所述周边区域的第二绝缘层上形成第四通孔，所述第三通孔暴露部分所述第二金属图案，所述第四通孔暴露部分所述第二金属图案；

步骤六：在所述第二绝缘层上、第三通孔和第四通孔内形成透明电极层，使用第四掩模版对所述透明电极层进行光刻以在所述显示区域内形成透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与所述第二金属图案电连接。

2.如权利要求1所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤六之后还包括：在所述透明电极图案、第二绝缘层、第二金属图案上以及第四通孔内形成保护层。

3.如权利要求2所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述保护层为氮化硅或者有机膜。

4.如权利要求3所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有机膜为聚酰亚胺。

5.如权利要求1所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述步骤三之后步骤四之前还包括：在所述第一绝缘层和第一金属图案上形成半导体有源材料层，使用第五掩模版对所述半导体有源材料层进行光刻，形成半导体有源图案。

6.如权利要求5所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，部分所述第二金属图案搭接到所述半导体图案上。

7.一种TFT阵列基板，包括：

一基板，所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；

形成于所述显示区域内的多个导通结构，所述多个导通结构包括：

形成于所述基板上的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一通孔；

通过所述第一通孔形成于所述第一绝缘层上的第二金属图案；

形成于所述第一绝缘层和所述第二金属图案上的第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第三通孔；

形成于所述第二绝缘层上和所述第三通孔内的透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与第二金属图案电连接；

形成于所述周边区域内的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括：

形成于所述基板上的第一金属图案；

形成于所述基板和第一金属图案上的所述第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第二通孔；

形成于所述第一绝缘层上的第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；

形成于所述第一绝缘层和所述第二金属图案上的第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第四通孔，

其特征在于，所述第一通孔与所述第三通孔的位置相对应，并且由同一块掩膜版光刻形成；所述第二通孔和所述第四通孔的位置相对应，并且由同一块掩膜版光刻形成。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括形成于所述透明电极图案、第二绝缘层、第二金属图案上以及第四通孔内的保护层。

9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述保护层为氮化硅或者有机膜。

10.如权利要求9所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述有机膜为聚酰亚胺。

11.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成于所述第一绝缘层上的半导体有源层，所述第二金属图案形成于所述半导体有源层上。

12.如权利要求11所述的TFT阵列基板，其特征在于，部分所述第二金属图案搭接到所述半导体图案上。