[发明专利]有机发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201210563748.3 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103187429A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 南栋熙;李煐九;金禧镇;李学旻 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光装置,包括:
基板,所述基板被划分为第一像素至第三像素,并且由所述第一像素至第三像素限定;
第一电极和第二电极,所述第一电极设置在所述基板上,所述第二电极面对所述第一电极,并且所述第二电极与所述第一电极间隔开;
第一发光层和第二发光层,所述第一发光层和所述第二发光层设置在第一电极与第二电极之间,并且分别设置在所述第一像素和第二像素中;
副发光层和第三发光层,所述副发光层和所述第三发光层以这个顺序遍布所述第一像素至所述第三像素设置,并且设置在所述第一发光层和所述第二发光层上;
第一公共层,所述第一公共层设置在所述第一电极与包括所述第一发光层和所述第二发光层的层之间;和
第二公共层,所述第二公共层设置在所述第三发光层与所述第二电极之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述副发光层和所述第三发光层包含使光有同样颜色的掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的有机发光装置,其中所述副发光层中包含的基质材料的空穴迁移率高于所述第三发光层中包含的基质材料的空穴迁移率。
4.根据权利要求2所述的有机发光装置,其中所述副发光层的基质材料具有2.7eV或更高的三重态能级。
5.根据权利要求2所述的有机发光装置,其中所述副发光层中包含的基质材料具有1.0×10-7cm2/s·V或更高的空穴迁移率以及1.0×10-7cm2/s·V或更高的电子迁移率。
6.根据权利要求2所述的有机发光装置,其中所述副发光层中包含的基质材料的LUMO和HOMO能级分别与所述第三发光层中包含的LUMO和HOMO能级相差在0.5eV或更少的范围内。
7.根据权利要求2所述的有机发光装置,其中所述掺杂剂基于包含在其中的基质材料的量,以低于0.5%的量包含在所述副发光层中。
8.根据权利要求7所述的有机发光装置,其中所述掺杂剂基于包含在其中的基质材料的量,以4%至6%的量包含在所述第三发光层中。
9.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一发光层是红光发光层,所述第二发光层是绿光发光层,而所述第三发光层是蓝光发光层。
10.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一公共层、所述第一发光层和所述第二发光层由可溶性物质形成。
11.根据权利要求10所述的有机发光装置,其中所述副发光层、所述第三发光层和所述第二公共层由小分子有机材料形成。
12.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述基板包含薄膜晶体管阵列,所述薄膜晶体管阵列包括每个像素中的与所述第一电极相连的薄膜晶体管。
13.一种有机发光装置的制造方法,包括:
准备基板,所述基板被划分为第一像素至第三像素并由所述第一像素至第三像素限定;
在所述基板上形成第一电极;
通过溶液加工工艺在所述第一电极上形成第一公共层;
通过溶液加工工艺,在所述第一公共层上,在所述第一像素和第二像素中分别形成第一发光层和第二发光层;
通过蒸镀工艺,遍布所述第一像素至第三像素相继形成副发光层、第三发光层和第二公共层,以使它们覆盖所述第一发光层和所述第二发光层;和
在所述第二公共层上形成第二电极。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,用于形成所述第一公共层、所述第一发光层和所述第二发光层的所述溶液加工工艺选自喷墨印刷、喷嘴印刷、转印、狭缝涂覆、照相凹版印刷和热喷印刷。
15.根据权利要求13所述的方法,其中所述副发光层、所述第三发光层和所述第二公共层的形成通过相继沉积组成各层的小分子有机材料来完成。
16.根据权利要求13所述的方法,其中所述副发光层和所述第三发光层包含呈现具有同样颜色的光的掺杂剂,以及
基于其中包含的基质材料的量,所述副发光层和所述第三发光层中包含的掺杂剂的量分别为低于0.5%,和4%至6%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的