[发明专利]发光二极管的制造方法及使用该方法制成的发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管封装结构的制造方法及使用该方法制成的发光二极管。

背景技术

发光二极管（light emitting diode，LED）作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。

在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。

一般的发光二极管封装结构通常先成型反射杯，在反射杯成型后再将电极弯折贴设于反射杯的底面及侧面上。然而，这种方法制成的发光二极管封装结构的密合度不佳，封装结构中的电极与反射杯之间结合不紧密，电极在使用过程中容易松动或脱落。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种有效提升发光二极管封装结构密合度的制造方法及使用该方法制成的发光二极管。

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极、第二电极交错排列于引线架上，同一列中的各第一电极通过位于其端部的一连接条纵向串接，同一列中的各第二电极通过位于其端部的另一连接条纵向串接；在引线架上两列相邻连接条之间形成围绕第一电极、第二电极设置的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽；切割外露于反射杯相对两侧的连接条，使得连接条分隔成若干相对独立的连接段，每一连接段对应第一电极/第二电极设置，该连接段的宽度小于与其连接的第一电极/第二电极的宽度；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接所述第一电极、第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及横向切割反射杯以形成多个独立的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构，包括一对间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，所述发光二极管封装结构还包括从所述第一电极远离第二电极的一端向外继而向下一体延伸的连接段和第二电极远离第一电极的一端向外继而向下一体延伸的连接段，所述第一电极上的连接段的宽度小于第一电极的宽度，所述第二电极上的连接段的宽度小于第二电极的宽度，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一电极的连接段及第二电极的连接段分别外露于反射杯的相对两侧。

与现有技术相比，本方法是在反射杯成型后再对外露其两侧连接条进行切割以形成多个连接段，而第一电极、第二电极嵌置于反射杯内，这能有效提升发光二极管封装结构的密合度。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1是本发明一实施例的发光二极管封装结构的制造方法流程图。

图2是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S101所得的引线架的俯视示意图。

图3是图2所示引线架中第一电极、第二电极的俯视示意图。

图4是图3所示第一电极和第二电极沿IV-IV线的剖面示意图。

图5是图3所示第一电极和第二电极的仰视示意图。

图6是图1中引线架放置于模具内的剖面示意图。

图7是图1中引线架放置于模具内的仰视示意图（下模具的底部被隐藏）。

图8是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S102所得的引线架上形成反射杯后的俯视示意图。

图9是图8所示引线架上形成反射杯后第一电极和第二电极的俯视示意图。

图10是图9所示第一电极和第二电极沿X-X线的剖面示意图。

图11是图9所示第一电极和第二电极的仰视示意图。

图12是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S103所得的切割连接条形成连接段之后的第一电极、第二电极的俯视示意图。

图13是图12所示第一电极和第二电极沿XIII-XIII线的剖面示意图。

图14是图12所示第一电极和第二电极的仰视示意图。

图15是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S106所得的独立发光二极管封装结构的剖面示意图。

图16是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S102的另一实施例中在引线架上形成反射杯后第一电极和第二电极的俯视示意图。

图17是图16中第一电极和第二电极沿XVII-XVII线的剖面示意图。

图18是图16所示第一电极和第二电极的仰视示意图。