[发明专利]发光二极管的制造方法及使用该方法制成的发光二极管无效

专利信息
申请号: 201210561830.2 申请日: 2012-12-22
公开(公告)号: CN103887417A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 林厚德;陈滨全;陈隆欣 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/48;H01L33/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制造 方法 使用 制成
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:

提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架,所述第一电极、第二电极交错排列于引线架上,同一列中的各第一电极通过位于其端部的一连接条纵向串接,同一列中的各第二电极通过位于其端部的另一连接条纵向串接;

在引线架上两列相邻连接条之间形成围绕第一电极、第二电极设置的反射杯,所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽;

切割外露于反射杯相对两侧的连接条,使得连接条分隔成若干相对独立的连接段,每一连接段对应第一电极/第二电极设置,该连接段的宽度小于与其连接的第一电极/第二电极的宽度;

在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接所述第一电极、第二电极;

在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层;以及

横向切割反射杯以形成多个独立的发光二极管封装结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述相邻的第一电极和第二电极之间形成沟槽以绝缘性阻断该第一电极和第二电极,所述第一电极以及与第一电极对应的连接条、所述第二电极以及与第二电极对应的连接条分别围设出一通槽,所述第一电极、第二电极之间的沟槽分别与所述通槽横向连通。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:在设置发光二极管芯片之前所述制造方法还包括对外露于容置槽底部的第一电极和第二电极以及外露于反射杯两侧的连接段的表面上制作一金属层的步骤,以防止外露的第一电极、第二电极和连接段氧化。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述金属层的材料为银,所述金属层通过电镀的方式形成于外露的第一电极、第二电极和连接段的外表面。

5.如权利要求1-4项中任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一电极和第二电极均包括相对设置的上表面和下表面,所述第一电极的下表面和第二电极的下表面分别向下凸出延伸形成增厚部,在反射杯成型后所述第一电极上的增厚部远离第一电极的外表面外露于反射杯外,所述第二电极上的增厚部远离第二电极的外表面外露于反射杯外。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:第一电极的上表面和第二电极的上表面暴露于所述反射杯的容置槽内,所述第一电极的增厚部形成于第一电极的下表面上,第二电极的增厚部形成于第二电极的下表面上。

7.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一电极上开设贯穿第一电极上下表面的至少一导孔,第二电极上开设贯穿第二电极上下表面的至少一导孔。

8.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述反射杯的材质为高分子化合物,并通过注塑成型方式一体制成。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述反射杯成型于一模具之中,该模具包括相对设置的上模具和下模具,该上模具和下模具共同围设出收容引线架的密闭空间,所述高分子化合物经过加热后变成熔融的流体,该流体被注入模具内引线架上的两列相邻连接条之间并沿第一电极和第二电极的增厚部流动以形成所述反射杯。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述连接条包括相对设置的上表面和下表面,所述连接条的下表面被下模具遮盖,所述连接条的上表面部分被上模具遮盖,在反射杯成型之后所述连接条上表面未被上模具遮盖的部分被反射杯覆盖。

11.一种发光二极管封装结构,包括一对间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯,反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽,其特征在于:所述发光二极管封装结构还包括从所述第一电极远离第二电极的一端向外继而向下一体延伸的连接段和第二电极远离第一电极的一端向外继而向下一体延伸的连接段,所述第一电极上的连接段的宽度小于第一电极的宽度,所述第二电极上的连接段的宽度小于第二电极的宽度,所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内,所述第一电极的连接段及第二电极的连接段分别外露于反射杯的相对两侧。

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