[发明专利]闪存的存储单元的形成方法

权利要求书

1.一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、以及位于浮栅层表面的第二介质层；

在所述第二介质层内形成第一开口、以及与所述第一开口的底部贯通的第二开口，所述第一开口的侧壁垂直于半导体衬底表面，所述第二开口暴露出浮栅层表面，所述第二开口的顶部尺寸与所述第一开口的底部尺寸相同，所述第二开口的侧壁相对于半导体衬底表面具有第二角度，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第二开口的底部尺寸；

以所述第二介质层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀所述第二开口底部的部分厚度的浮栅层，在所述浮栅层内形成第三开口；

在所述第三开口底部的部分浮栅层表面形成覆盖所述第一开口、第二开口和第三开口的侧壁的第一侧墙；

以所述第一侧墙和第二介质层为掩膜，采用各项异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅层和第一介质层直至暴露出半导体衬底为止，形成第四开口，并在所述第四开口的侧壁表面形成第二侧墙；

在所述第四开口底部的部分半导体衬底表面形成覆盖所述第二侧墙和部分第一侧墙表面的源线层，所述源线层的表面不高于所述第一侧墙的顶部，所述源线层表面具有掩膜层；

在形成所述源线层和掩膜层之后，去除所述第二介质层，并以所述第一侧墙和掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅层，直至暴露出第一介质层为止；

在刻蚀所述浮栅层之后，在所述第一介质层表面形成字线层，所述字线层覆盖所述第一侧墙未被源线层覆盖一侧的部分侧壁表面，且所述字线层低于所述第一侧墙的顶部。

2.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一开口的深度大于0埃，小于等于500埃。

3.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，还包括：所述第一开口的侧壁相对于半导体衬底表面具有第一角度，且所述第一开口的顶部尺寸大于或等于底部尺寸。

4.如权利要求3所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一角度为88度~90度。

5.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第二开口的深度为3000埃~4500埃。

6.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第二角度为83度~87度。

7.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一开口和第二开口的形成工艺包括：采用第一次各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第二介质层表面，在所述第二介质层内形成第一开口；采用第二次各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第一开口的底部的第二介质层直至暴露出所述浮栅层表面为止，形成第二开口。

8.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述字线层的形成工艺包括：在所述第一介质层和掩膜层表面、以及第一侧墙层的侧壁表面沉积字线薄膜；采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述字线薄膜直至暴露出第一介质层表面为止。

9.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述源线层的形成工艺包括：在所述第二介质层的表面、以及所述第一侧墙和第二侧墙的侧壁表面沉积源线薄膜；去除位于所述第二介质层表面的源线薄膜。

10.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述浮栅层、源线层和字线层的材料为多晶硅。

11.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅，第二介质层的材料为氮化硅。

12.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙的材料为氧化硅。

13.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶。

14.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，还包括：在以所述第一侧墙和掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅层之后，形成字线层之前，在经过刻蚀被暴露出的浮栅层的侧壁表面形成绝缘层。

15.如权利要求14所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅，形成工艺为热氧化工艺。