[发明专利]具有电流增压器的电压模式驱动器（VMDCB）

说明书

技术领域

一般而言，本发明涉及电路。具体来说，本发明涉及能够实现比其电源电压更大的电压输出摆幅的具有电流增压器的电压模式驱动器(VMDCB)。 

背景技术

传统的电压模式驱动(VMD)结构的输出摆幅受到电路的电源的限制。例如，具有1伏特(1V)电源的电路能够产生1伏特的差分峰峰(1V_DIFFPP)摆幅。 

然而，随着半导体制造工艺中器件尺寸越来越小，通常电源电压也在下降。因此，当电源电压小于1V时，很难实现1V_DIFFPP。 

现有技术中使用几种方法来解决这个问题。 

一种方法是提高电源电压。然而，增加电源电压来过度驱动器件常常产生器件可靠性问题。 

另一种方法是调整端子以在接收器侧产生大的分电压。然而，这种变化可能会引起阻抗失配，从而导致信号完整性较差。 

图1示出传统的(现有技术)电压模式驱动(VMD)系统1000。电压模式驱动器1100包括与n型晶体管1104和1108连接的一对p型晶体管1102和1106，分别通过电源电压AVTTR驱动正输出节点TXP和负输出节点TXN。将接收器节点(正接收节点RXP和负接收节点RXN)建模为与电阻器1204和1208串联的电容器1202和1206。假设端子是50欧姆，则接收器的信号振幅将是AVTTR/4。例如，1V的AVTTR可以产生0.25V的振幅，即1V V_DIFFPP摆幅。 

然而，随着半导体工艺的缩减，电源电压的大小也在降低。在现有技术工艺中，电源电压常常低于1V。因此，很难实现1V V_DIFFPP。 

当升高电源电压来获得更高的V_DIFFPP输出摆幅时，由于晶体管受应力过度，产生器件可靠性的问题。 

发明内容

电压模式驱动电路能够实现比其电源电压更大的电压输出摆幅。通过电流源或“电流增压器”来补充电压模式驱动电路。电路包括第一反相器、第二反相器和电流源。第一反相器接收第一输入并在节点输出信号。第二反相器接收第二输入并且在相同的输出节点输出。电流源通过第一开关与输出节点串联，第一开关在第一输入处接收输入。 

根据本发明的一个方面，提供了一种电压模式驱动电路，包括：第一反相器，被配置成在节点MAIN接收输入并在节点TXP输出；第二反相器，被配置成在节点POS接收输入并在所述节点TXP输出；以及第一电流源，通过第一开关与所述节点TXP串联，所述第一开关被配置成在所述节点MAIN接收输入。 

所述的电压模式驱动电路还包括：第二电流源，通过第二开关与所述节点TXP串联，所述第二开关被配置成在所述节点POS接收输入。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第一反相器进一步包括：第一p型晶体管，具有第一p型栅极、第一p型源极和第一p型漏极，所述第一p型栅极与节点MAIN连接，所述第一p型源极与电源连接；以及第一n型晶体管，具有第一n型栅极、第一n型源极和第一n型漏极，所述第一n型栅极与节点MAIN连接，所述第一n型源极接地，所述第一n型漏极与所述第一p型漏极连接；以及第一电阻，所述第一电阻与所述p型漏极和所述节点TXP串联。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第二反相器进一步包括：第二p型晶体管，具有第二p型栅极、第二p型源极和第二p型漏极，所述第二p型栅极与节点MAIN连接，所述第二p型源极与所述电源连接；以及第二n型晶体管，具有第二n型栅极、第二n型源极和第二n型漏极，所述第二n型栅极与节点MAIN连接，所述第二n型源极接地，所述第二n型漏极与所述p型漏极连接；以及第二电阻，所述第二电阻与所述p型漏极和 所述节点TXP串联。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第一电流源通过第三开关还串联在所述节点TXP和地之间。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第二电流源通过第四开关还串联在所述节点TXP和地之间。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第一开关是p型晶体管。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第二开关是p型晶体管。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第三开关是n型晶体管。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第四开关是n型晶体管。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第一电阻与所述节点TXP处的期望的接收器阻抗匹配。 

在上述电压模式驱动电路中，所述第二电阻是与所述节点TXP处的所述期望的接收器阻抗匹配。