[发明专利]存储器访问处理方法及控制器有效
| 申请号： | 201210553090.8 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103019974A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王国民 | 申请（专利权）人： | 北京华为数字技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 靳玫 |
| 地址： | 100085 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 访问 处理 方法 控制器 | ||
1.一种存储器刷新处理方法，其特征在于，包括：
采用计数器对动态随机存储器DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，获取计时结果T1；
若与所述DRAM的一行对应的时间T1大于所述DRAM的刷新周期T2，则对该行进行访问处理，以对该行进行刷新。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计数器具体为：带有片内随机存储器IRAM的计数器。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述IRAM包括至少一个静态随机存储器SRAM单元，其中，每一个SRAM单元用于存储所述DRAM的一行对应的计时结果T1。
4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述采用计数器对DRAM的每一行在相邻两次访问之间的空闲时间进行计时，获取计时结果T1之后，还包括：
根据所述计时结果T1获取访问频率最高的DRAM行，将该行对应的存储内容写入IRAM中，以优化访问方式。
5.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述采用计数器对DRAM的每一行在相邻两次访问之间的空闲时间进行计时，获取计时结果T1之后，还包括：
根据所述计时结果T1获取在预设时间之后仍不被访问的DRAM行，屏蔽对该DRAM行的访问操作，以优化访问方式。
6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述访问包括：对所述DRAM进行读操作或写操作。
7.一种控制器，其特征在于，包括：
计时模块，用于采用计数器对动态随机存储器DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，获取计时结果T1；
刷新模块，用于若与所述DRAM的一行对应的时间T1大于所述DRAM的刷新周期T2，则对该行进行访问处理，以对该行进行刷新。
8.根据权利要求7所述的控制器，其特征在于，所述计时模块采用的计数器具体为：带有片内随机存储器IRAM的计数器。
9.根据权利要求8所述的控制器，其特征在于，所述IRAM包括至少一个静态随机存储器SRAM单元，其中，每一个SRAM单元用于存储所述DRAM的一行对应的计时结果T1。
10.根据权利要求7～9任一项所述的控制器，其特征在于，还包括：
读写模块，用于根据所述计时结果T1获取访问频率最高的DRAM行，将该行对应的存储内容写入IRAM中，以优化访问方式。
11.根据权利要求7～9任一项所述的控制器，其特征在于，还包括：
屏蔽模块，用于根据所述计时结果T1获取在预设时间之后仍不被访问的DRAM行，屏蔽对该DRAM行的访问操作，以优化访问方式。
12.根据权利要求7～11任一项所述的控制器，其特征在于，所述访问包括：对所述DRAM进行读操作或写操作。
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