[发明专利]触控电极结构及其制造工艺

权利要求书

1.一种触控电极结构的制造工艺，其特征在于，包括步骤：

S1：形成一电极层于一基板上；

S2：形成一第一防蚀刻光学层于该电极层上；

S3：蚀刻未被该第一防蚀刻光学层遮挡的该电极层，经蚀刻后的该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区，且位于该非蚀刻区的电极层包含：

至少两个以上的沿第一方向排列的第一电极块，相邻的该些第一电极块通过一第一导线电性连接；

至少两个以上的沿第二方向排列的第二电极块，该些第二电极块分别设置于该第一导线两侧；

S4：形成一第二防蚀刻光学层于该第一防蚀刻光学层和该基板上，且对应于各第二电极块上的该第二防蚀刻光学层形成有镂空区域；

S5：蚀刻该镂空区域处的该第一防蚀刻光学层，形成贯穿孔贯穿该第一防蚀刻光学层；

S6：形成一线路层，该线路层位于该第二防蚀刻光学层上，且通过该镂空区域与该贯穿孔电性连接相邻的第二电极块；

通过调节该第一防蚀刻光学层、该第二防蚀刻光学层的折射率，减轻蚀刻后该蚀刻区与该非蚀刻区存在的外观差异。

2.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，所述步骤S2更包含形成一保护层于该电极层上的步骤，所述步骤S4形成的第二防蚀刻光学层形成于该第一防蚀刻光学层和该保护层上，且所述步骤S5形成的贯穿孔贯穿该保护层。

3.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，更包括形成一光学调整层于该线路层上的步骤。

4.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，所述步骤S1采用沉积、溅射的工艺。

5.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述步骤S4采用不完全蚀刻的工艺。

6.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，形成所述第一防蚀刻光学层与所述第二防蚀刻光学层采用印刷工艺。

7.一种触控电极结构，其特征在于，包括：

一基板；

一电极层，设置于该基板上，且该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区，其中该非蚀刻区的电极层包含：至少两个以上的沿第一方向排列的第一电极块，相邻的该些第一电极块通过第一导线电性连接；至少两个以上的沿第二方向排列的第二电极块，所述第二电极块分别设置于该第一导线两侧；

一第一防蚀刻光学层，设置于该非蚀刻区的电极层上，且该第一防蚀刻光学层对应于该些第二电极块的位置形成有贯穿孔；

一第二防蚀刻光学层，设置于该第一防蚀刻光学层与该基板上，且该第二防蚀刻光学层对应于该贯穿孔的位置形成有镂空区域；

一线路层，设置于该第二防蚀刻光学层上，且该线路层通过该镂空区域及该贯穿孔电性连接相邻的第二电极块；

通过调节该第一防蚀刻光学层、该第二防蚀刻光学层的折射率，减轻蚀刻后该蚀刻区与该非蚀刻区存在的外观差异。

8.根据权利要求7所述的触控电极结构，其特征在于，所述电极层上更形成有一保护层，且该保护层设置于该电极层与该第一防蚀刻光学层之间。

9.根据权利要求7所述的触控电极结构，其特征在于，所述线路层上设置有一光学调整层。

10.根据权利要求8所述的触控电极结构，其特征在于，所述保护层的厚度为50nm至500nm。

11.根据权利要求8所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层的折射率至少比所述保护层的折射率大0.1。

12.根据权利要求7或11所述的触控电极结构，其特征在于，所述第二防蚀刻光学层的折射率至少比所述第一防蚀刻光学层的折射率大0.1。

13.根据权利要求7所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层的厚度为0.05um至5um。

14.根据权利要求7所述的触控电极结构，其特征在于，所述第二防蚀刻光学层的厚度为0.05um至5um。

15.根据权利要求7所述的触控电极结构，其特征在于，所述线路层采用可透视的导电材料、金属材料、或合金材料、或前述之组合。

16.根据权利要求7所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层材料和所述第二防蚀刻光学层材料为压克力聚合物或环氧树脂。