[发明专利]一种片状硅的制备方法

权利要求书

1.一种片状硅的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)硅料熔化：采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；

2)造渣精炼除硼：硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；

3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。

2.如权利要求1所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述冶金级硅为硅粉或硅块，其纯度为99%以上，硼的含量为5～30ppmw。

3.如权利要求1所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述造渣剂与硅料的质量比为1∶1～0.5。

4.如权利要求1所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述造渣剂选用钠系造渣剂。

5.如权利要求4所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于所述钠系造渣剂采用Na₂CO₃-SiO₂-NaF体系或NaHCO₃-SiO₂-NaF体系。

6.如权利要求5所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于所述Na₂CO₃-SiO₂-NaF体系的各组分所占质量百分比为：Na₂CO₃，40%～60%；SiO₂，30%～50%；NaF，10%；所述NaHCO₃-SiO₂-NaF体系的各组分所占质量百分比为：NaHCO₃，40%～60%；SiO₂，30%～50%；NaF，10%。

7.如权利要求1所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述静置时间为10～20min。

8.如权利要求1所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述水冷旋转轮毂的旋转速度为60～300r/min。

9.如权利要求1所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述水冷旋转轮毂为水冷旋转铜毂。

10.如权利要求1所述的一种片状硅的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述石墨坩埚的浇口距离水冷旋转轮毂上表面的高度为0.5～2m。