[发明专利]有机发光显示器件及其制造方法有效
申请号: | 201210545120.0 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103165650A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 徐铉植;李政训;金大元;崔容豪 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示器件,且更特别地,涉及一种能够增强色视角特性的有机发光显示器件及其制造方法。
背景技术
近些年,由于开发出使用一种共轭聚合物—聚苯撑乙烯(PPV)的有机发光显示器件,已经积极开展了对有机材料如具有导电性的共轭聚合物的研究。持续开展了将这样的有机材料应用到薄膜晶体管、传感器、激光器、光电元件等的研究,其中,最积极开展的是对有机发光显示器件的研究。
在由荧光体基/磷光体基无机材料制成有机发光器件的情形下,需要超过交流200V的工作电压且显示器件是通过真空沉积工艺制造,由此导致难以制造大尺寸显示器,特别是难以显示出发蓝光特性,并且具有制造成本高的缺点。然而,由有机材料制成的有机发光显示器件具有诸如利于大尺寸屏幕、制造工艺方便且特别容易实现蓝光发射,以及允许开发柔性发光显示器件等优点,因此它被高度视为下一代显示器件。
目前,与液晶显示器件相似,已经积极开展了对于每个像素都具有有源驱动元件的有源矩阵有机发光显示器件的研究,以实现平板显示器。特别是,近些年,将用于实现各种色彩的滤色器层形成在形成有薄膜晶体管的基板上,由此允许光自发光单元发出以穿过滤色器层从而显示各种色彩。然而,在具有这种TFT上滤色器(COT)结构的有机发光显示器件中,根据视角产生色彩变化,从而引起视角狭窄的问题。
发明内容
设计本发明以解决上述问题,并且本发明的目的是提供一种有机发光显示器件及其制造方法,所述有机发光显示器件中形成了光补偿层且具有增强的视角特性。
本发明的另一目的是提供一种有机发光显示器件及其制造方法,其中在不含氢气的气体环境中形成光补偿层,从而防止由于氢渗透到薄膜晶体管沟道层中导致的薄膜晶体管变劣。
本发明的再一目的是提供一种有机发光显示器件及其制造方法,其中在光补偿层上形成用于释放外来物质的孔,从而在真空固化工艺期间有效释放外来物质。
为了实现上述目的,根据本发明的有机发光显示器件可包括:具有多个像素的第一基板和第二基板;形成在第一基板上的薄膜晶体管;形成在包括薄膜晶体管的第一基板上的第一绝缘层;形成在像素区中第一绝缘层上的滤色器层;形成在包括滤色器层的第一基板上的第二绝缘层;形成在第二绝缘层上且由不含氢的材料制成的光补偿层,其中光补偿层接触薄膜晶体管的漏极焊垫;形成在每个像素区的光补偿层上的像素电极;形成在像素电极上以发光的有机发光单元;和形成在有机发光单元上的公共电极。
有机发光显示器件还包括形成在光补偿层上的用来释放外来物质的多个孔,其中孔是形成在每个像素区的外壁上。
光补偿层由SiNx、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等制成,折射系数为1.5-2.7,且此时,SiNx的沉积厚度为多个孔形成在光补偿层上以在真空固化工艺期间释放外来物质。
此外,根据本发明制造有机发光显示器件的方法可包括:提供包括多个像素的第一基板和第二基板;在第一基板的每个像素处形成薄膜晶体管;在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一绝缘层;在像素区中的第一绝缘层上形成滤色器层;在包括滤色器层的第一基板上形成第二绝缘层;在混合有SiH4和N2的气体环境中,在第二绝缘层上形成由SiNx和不含氢的材料制成的光补偿层,其中光补偿层接触薄膜晶体管漏极焊垫;在每个像素区的光补偿层上形成像素电极;在光补偿层上形成用于发光的有机发光单元;在有机发光单元上形成公共电极;和将第一基板结合到第二基板。
此时,根据本发明的方法可进一步包括在混合有SiH4和N2的气体环境中形成SiNx层,其中通过交替更换混合有SiH4和N2的气体环境和混合有SiH4和NH3的气体环境来形成SiNx。
此外,前述方法还可包括在真空状态下,对形成像素电极之后形成的层执行真空固化,持续预定时间周期,以经由孔释放所形成层中包含的外来物质。
第一,根据本发明,可形成折射系数为1.5-2.7的透明光补偿层,从而增强视角特性。
第二,根据本发明,可在不含氢气的气体环境中形成光补偿层,由此当形成光补偿层时能防止氢扩散到薄膜晶体管的沟道层中,从而防止由于氢扩散导致的薄膜晶体管变劣。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的