[发明专利]一种新型平板式PECVD设备及其气路接孔结构

说明书

技术领域

本发明涉及化工技术领域，特别涉及一种新型平板式PECVD设备及其气路接孔结构。

背景技术

氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、高电阻率、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等特性，在太阳能电池上得到广泛的应用。

目前，平板式PECVD和管式PECVD在工业生产中得到了广泛应用。相对管式PECVD，平板式PECVD有着均匀性好和产量高的特点。平板式PECVD设备被广泛应用。

现有的平板式PECVD设备中，沉积氮化硅膜用的气路一般包括4，6，8路等，其中每一路的示意图如图1所示。每一个气路1上面开有不同数量的直径为0.8-1.5mm的特气气孔2，将管路中的特气3引入到反应腔室中，发生反应沉积出氮化硅膜，4为流量计。

但是平板式PECV D设备在运行一段时间后，因为各气路的特气气孔会沉积氮化硅和硅颗粒等发生不同程度的堵塞，如果其中一个孔堵塞，该处气体流量将会下降，但是气体总流量不变，则其他位置的气体流量将会变大，进而导致不同位置沉积的氮化硅膜厚度出现变化，均匀性变差，对氮化硅膜的稳定性以及可能会引起色差导致硅片的不合格。

当氮化硅膜层厚度因为气孔的堵塞出现偏差较大时，经工艺调整不能解决的便需要对设备进行维护，打通气孔，从而严重影响着PECVD设备运行的稳定性，并增加了设备维护的成本，耽误着生产线上的产量。

因此，如何降低设备运行中特气孔发生堵塞的几率，减少特气孔对沉积氮化硅膜层厚度的影响，成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种新型平板式PECVD气路接孔结构，降低设备运行中特气孔发生堵塞的几率，减少特气孔对沉积氮化硅膜层厚度的影响。

本发明还提供了一种采用上述气路接孔结构的新型平板式PECVD设备。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种新型平板式PECVD气路接孔结构，特气气孔的输出端连通有新型特气孔接头，所述新型特气孔接头具有顶端封闭的管体，在所述管体的侧壁上开设有多个侧孔，每个所述侧孔的输出端均连通有侧管，每个所述侧管的输出方向与所述特气气孔的输出方向相同。

优选的，多个所述侧孔及其对应的所述侧管在所述新型特气孔接头的侧壁上沿周向均匀分布。

优选的，相邻的两个所述侧孔的高度不相同。

优选的，多个所述侧孔采用低位和高位相间的方式分布在所述管体的侧壁上。

优选的，位于低位的多个所述侧孔的高度相同，组成第一侧孔组；位于高位的多个所述侧孔的高度相同，组成第二侧孔组。

优选的，所述第一侧孔组的多个所述侧孔位于所述特气气孔的上方1.5-2mm处，所述第二侧孔组的多个所述侧孔位于所述特气气孔的上方4-5mm处。

优选的，所述侧管的孔径具体为0.8-1.5mm。

优选的，每个所述侧管输出端的开口高度平齐，与所述管体的顶端处于同一水平面上。

优选的，所述管体具有八个侧面，每个侧面上均开设有一个所述侧孔，八个所述侧孔采用低位和高位相间的方式分布，位于低位的四个所述侧孔均为位于所述特气气孔的上方1.5-2mm处，位于高位的四个所述侧孔均为位于所述特气气孔的上方4-5mm处。

一种新型平板式PECVD设备，包括沉积氮化硅膜用的气路，在所述气路的特气气孔的输出端连通有上述的新型特气孔接头。

从上述的技术方案可以看出，本发明提供的新型平板式PECVD气路接孔结构，通过在特气气孔的输出端连通具有多个侧孔的新型特气孔接头，由原来的一个气孔变为多个出气孔，降低了堵塞的几率；同时即使发生堵塞，也不影响该位置的总的特气流量，所以避免了该位置沉积的氮化硅膜层厚度发生较大的变化。另一方面，可以延长设备使用时间，增加了生产周期，相对降低了设备维护费用和提高了产量。进一步的，通过减少氮化硅膜层厚度差异较大的情况，从而可以减少色差片的出现，提高该工序的产品合格率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中平板式PECVD设备其特气管路的结构示意图；

图2为增加本发明实施例提供的新型特气孔接头后气路的结构示意图；