[发明专利]一种新型平板式PECVD设备及其气路接孔结构有效
申请号: | 201210537145.6 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN102978587A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 范志东;田世雄;马继奎;汤欢 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 平板 pecvd 设备 及其 气路接孔 结构 | ||
1.一种新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,特气气孔的输出端连通有新型特气孔接头,所述新型特气孔接头具有顶端封闭的管体,在所述管体的侧壁上开设有多个侧孔,每个所述侧孔的输出端均连通有侧管,每个所述侧管的输出方向与所述特气气孔的输出方向相同。
2.根据权利要求1所述的新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,多个所述侧孔及其对应的所述侧管在所述新型特气孔接头的侧壁上沿周向均匀分布。
3.根据权利要求2所述的新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,相邻的两个所述侧孔的高度不相同。
4.根据权利要求3所述的新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,多个所述侧孔采用低位和高位相间的方式分布在所述管体的侧壁上。
5.根据权利要求4所述的新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,位于低位的多个所述侧孔的高度相同,组成第一侧孔组;位于高位的多个所述侧孔的高度相同,组成第二侧孔组。
6.根据权利要求5所述的新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,所述第一侧孔组的多个所述侧孔位于所述特气气孔的上方1.5-2mm处,所述第二侧孔组的多个所述侧孔位于所述特气气孔的上方4-5mm处。
7.根据权利要求6所述的新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,所述侧管的孔径具体为0.8-1.5mm。
8.根据权利要求1所述的新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,每个所述侧管输出端的开口高度平齐,与所述管体的顶端处于同一水平面上。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的新型平板式PECVD气路接孔结构,其特征在于,所述管体具有八个侧面,每个侧面上均开设有一个所述侧孔,八个所述侧孔采用低位和高位相间的方式分布,位于低位的四个所述侧孔均为位于所述特气气孔的上方1.5-2mm处,位于高位的四个所述侧孔均为位于所述特气气孔的上方4-5mm处。
10.一种新型平板式PECVD设备,包括沉积氮化硅膜用的气路,其特征在于,在所述气路的特气气孔的输出端连通有如权利要求1-9任意一项所述的新型特气孔接头。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的