[发明专利]利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法无效
| 申请号： | 201210533740.2 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103050574A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 叶辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 聚苯乙烯 纳米 作为 模板 生长 有序 量子 方法 | ||
1.一种利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)清洗硅片，获得表面覆盖致密SiO2钝化层的硅片作为生长量子点的衬底；
(2)在(1)所述衬底表面制备单层有序紧密排列的聚苯乙烯纳米球；
(3)将步骤(2)制备的表面单层有序紧密排列的聚苯乙烯纳米球的衬底放入分子束外延设备中进行外延生长量子点材料，其中衬底温度为10～100℃，量子点材料蒸发速率为每分钟0.1nm～10nm，蒸发时间为1～30分钟；
(4)步骤(3)结束后，进行退火处理20～60分钟，退火温度为300～600℃，即可获得硅基有序量子点。
2.如权利要求1所述的利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(1)中的清洗硅片采取RCA清洗。
3.如权利要求1所述的利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(2)中的聚苯乙烯纳米球是通过旋涂技术制备得到的。
4.如权利要求1所述的利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(1)中的聚苯乙烯纳米球直径为50～1000nm。
5.如权利要求1所述的利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(3)中的衬底温度为20～80℃。
6.如权利要求1所述的利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(3)中的量子点材料蒸发速率为每分钟0.2nm～8nm。
7.如权利要求1所述的利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(4)中的退火温度为400～600℃，退火时间为30～50分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
