[发明专利]一种直孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201210533686.1 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103871868A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李方华;陈定平 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种直孔刻蚀方法，用于护层刻蚀机台中，用于包括有衬底及形成所述衬底表面的介质层的半导体半成品进行加工，其特征在于，所述方法包括：
在所述介质层表面上形成光刻胶层，覆盖所述介质层，其中，所述介质层为形成于所述衬底上的含有硼和/或磷的介质层；
对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上形成需要刻蚀直孔的至少一个区域；
利用护层刻蚀气体与一惰性气体的混合气体对所述至少一个区域进行刻蚀，形成至少一个直孔。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述护层刻蚀气体包括：第一氟基气体以及氧气。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述混合气体还包括：第二氟基气体，其中，所述第二氟基气体与所述第一氟基气体体积流量间的比例值在0和4之间。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二氟基气体为氟碳比例大于所述第一氟基气体的氟基气体。
5.如权利要求1或2或3或4所述的方法，其特征在于，在所述形成至少一个直孔之后，所述方法还包括：
去除所述介质层表面剩余的所述光刻胶层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述惰性气体具体为氦气或氩气。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二氟基气体具体为四氟化碳或六氟化二碳。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述利用护层刻蚀气体与一惰性气体的混合气体对所述至少一个区域进行刻蚀，形成至少一个直孔，具体为：
在一增加射频功率的真空环境中，利用护层刻蚀气体与一惰性气体的混合气体对所述至少一个区域进行刻蚀，形成至少一个直孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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