[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求2012年5月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0047121的权益，其所有公开内容通过引用合并于此。

技术领域

实施例涉及有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

近来，显示装置已被便携式薄膜平板显示装置取而代之。有机发光显示装置是自发光显示装置，其具有大的视角、改进的对比度特性以及快的响应速度。因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置备受关注。

有机发光显示装置包括中间层、第一电极和第二电极。中间层包括有机发射层。当向第一电极和第二电极施加电压时，从有机发射层发出可见光。

发明内容

实施例涉及一种有机发光显示装置，包括：基板；位于所述基板上的缓冲膜，所述缓冲膜包括通孔；位于所述缓冲膜上的薄膜晶体管（TFT），所述TFT包括有源层、栅电极、源电极以及漏电极；电连接至所述源电极和所述漏电极中之一并且与所述通孔对应的第一电极；位于所述第一电极上的中间层，所述中间层包括有机发射层；以及位于所述中间层上的第二电极。

所述有机发光显示装置可进一步包括被布置为使所述栅电极和所述有源层彼此绝缘的栅极绝缘膜。所述第一电极可位于所述栅极绝缘膜上。所述栅极绝缘膜可填充所述通孔。所述通孔可大于所述第一电极。

所述第一电极可包含氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In₂O₃）、氧化铟镓（IGO）或氧化锌铝（AZO）。

所述第一电极可位于所述栅电极被设置在的层上，并且可包含选自于形成所述栅电极的材料中的至少一种材料。

所述栅电极可包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层上。所述第一电极可位于所述第一导电层被设置在的层上。所述第一电极可包括与所述第一导电层相同的材料。

所述中间层可与所述TFT间隔开，以不与所述TFT重叠。

所述有机发光显示装置可进一步包括电容器，所述电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，所述第一电容器电极位于所述有源层被设置在的层上，所述第二电容器电极位于所述栅电极被设置在的层上。

实施例还涉及一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在基板上形成缓冲膜以包括通孔；在所述缓冲膜上形成薄膜晶体管（TFT），所述TFT包括有源层、栅电极、源电极以及漏电级；形成被电连接至所述源电极和所述漏电极中之一并且与所述通孔对应的第一电极；在所述第一电极上形成中间层，所述中间层包括有机发射层；以及在所述中间层上形成第二电极。

可根据利用网板掩模的图案化工艺形成所述缓冲膜和所述有源层。

形成所述缓冲膜可包括在所述基板上形成缓冲膜材料层；在所述缓冲膜材料层上形成所述有源层；形成蚀刻掩模，以覆盖所述有源层并且不覆盖其中形成所述通孔的区域；以及通过利用所述蚀刻掩模进行蚀刻工艺形成所述通孔。

所述方法可进一步包括在进行所述蚀刻工艺之后进行灰化工艺，所述灰化工艺是在去除所述蚀刻掩模之前进行的。

形成所述有源层可至少包括结晶工艺。

所述方法可进一步包括在所述栅电极和所述有源层之间形成栅极绝缘膜，并且在所述栅极绝缘膜上形成所述第一电极。

可将所述栅极绝缘膜形成为填充所述通孔。

所述通孔可大于所述第一电极。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，特征将变得明显，在附图中：

图1是根据实施例的有机发光显示装置的示意性剖面图；

图2A至图2D是图示根据实施例的用于制造有机发光显示装置的方法中的过程的示意性剖面图；并且

图3A至图3F是图示根据另一实施例的制造有机发光显示装置的方法中的过程的示意性剖面图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更为充分地描述示例实施例，然而，这些示例实施例可以以不同的形式被体现，并且不应被解释为限制于在本文中阐述的实施例。相反地，提供这些实施例，使得本公开详尽、完全，并且将充分地向本领域技术人员传达本发明的范围。

在本文中使用的诸如“…中的至少一个”的表述当位于一列要素之前时修改整列要素，而未修改该列中单独的要素。