[发明专利]具有离型层的基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有离型层的基板结构，其特征在于包含：

支撑载体；

离型层，可脱离地设置在该支撑载体上；以及

软性基板，设置在该离型层上，

其中，该离型层由包括聚合物组分的聚合物组成物所形成，且该聚合物组分由包括二胺类化合物(A)及四羧酸二酐类化合物(B)的第一组分反应而得。

2.根据权利要求1所述的具有离型层的基板结构，其特征在于，该四羧酸二酐类化合物(B)包含至少一种由下列所构成群组的化合物：脂肪族四羧酸二酐化合物(B-1)、脂环族四羧酸二酐化合物(B-2)及含氟四羧酸二酐化合物(B-3)，且基于该四羧酸二酐类化合物(B)的使用量为100摩尔，该脂肪族四羧酸二酐化合物(B-1)、脂环族四羧酸二酐化合物(B-2)以及含氟四羧酸二酐化合物(B-3)的使用量总和范围为30摩尔以上。

3.根据权利要求1所述的具有离型层的基板结构，其特征在于，该聚合物组分的酰亚胺化率的范围为60%以上。

4.根据权利要求1所述的具有离型层的基板结构，其特征在于，该聚合物组成物还包括硅微粒，且该硅微粒的平均粒径范围为0.1nm～10μm。

5.根据权利要求4所述的具有离型层的基板结构，其特征在于，基于该聚合物组成物的使用量为100重量份，该硅微粒的使用量范围为0.1重量份～10重量份。

6.一种具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于包含：

提供支撑载体；

使离型层形成于该支撑载体上；以及

使软性基板形成于该离型层上，

其中，该离型层由包括聚合物组分的聚合物组成物所形成，且该聚合物组分由包括二胺类化合物(A)及四羧酸二酐类化合物(B)的第一组分反应而得。

7.根据权利要求6所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，该四羧酸二酐类化合物(B)包含至少一种由下列所构成群组的化合物：脂肪族四羧酸二酐化合物(B-1)、脂环族四羧酸二酐化合物(B-2)及含氟四羧酸二酐化合物(B-3)，且基于该四羧酸二酐类化合物(B)的使用量为100摩尔，该脂肪族四羧酸二酐化合物(B-1)、脂环族四羧酸二酐化合物(B-2)以及含氟四羧酸二酐化合物(B-3)的使用量总和范围为30摩尔以上。

8.根据权利要求6所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，该聚合物组分的酰亚胺化率的范围为60%以上。

9.根据权利要求6所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，该聚合物组成物还包括硅微粒，且该硅微粒的平均粒径范围为0.1nm～10μm。

10.根据权利要求9所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，基于该聚合物组成物的使用量为100重量份，该硅微粒的使用量范围为0.1重量份～10重量份。

11.根据权利要求6所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，该离型层以涂布方式形成于该支撑载体上。

12.根据权利要求6所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，该软性基板以涂布方式形成于该离型层上。

13.根据权利要求6所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，还包含在该软性基板形成后进行剥离处理的步骤。

14.根据权利要求6所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，该软性基板以涂布方式形成并覆盖该离型层与该支撑载体。

15.根据权利要求14所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，还包含切除步骤，且该切除步骤将形成于支撑载体上的软性基板切除，使得该软性基板仅覆盖于该离型层。

16.根据权利要求15所述的具有离型层的基板结构的制造方法，其特征在于，还包含在切除步骤之后的剥离处理步骤。