[发明专利]半导体器件的检查装置和其所使用的吸盘台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的检查装置和其所使用的吸盘台，详细来说，涉及就在晶片状态下对在晶片基板的两面具有电极的半导体器件的电特性进行检查的半导体器件的检查装置和适用于这样的检查装置的吸盘台。

背景技术

功率晶体管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等电力用半导体器件、LED、半导体激光器等的半导体器件构成为，电流在芯片的上下流动，晶片基板的表面和背面都具有电极。因此，就在晶片状态下对这样的半导体器件电特性进行检查时，需要使得测定用探针与晶片的表面和背面接触，为了使得测定用探针与成为被检查对象的半导体器件正下方的背面接触，提出了各种的检查装置。

例如，在专利文献1中揭示了如下的检查装置：在保持晶片的吸盘台内配置很多探针，选择性地将它们中的位于被测定器件的背面正下方的探针连接于测试器，由此来对在晶片基板的两面具有电极的半导体器件的电特性进行测定。

但是，在该专利文献1所揭示的检查装置中，为了依次对形成在晶片上的全部半导体器件进行检查，需要使得吸盘台相对于配置在上部的探针移动，具有对配置在吸盘台内的探针和测试器进行连接的电缆的长度必然变长的倾向。连接探针和测试器的电缆的长度变长的话，由电缆构成的测定路径的寄生电感变大，具有无法得到接近作为检查对象的半导体器件的实际值的大电流测定、动态特性试验所需要的过度特性这样的缺点。因此，即便是通过了晶片状态下的检查的半导体器件，其后也存在在经过了接合、成型、预烧工序等之后进行的最终的全规格（full spec）检查中发现特性不良的情况，在晶片状态下的检查之后进行的各种工序都白费了，导致制品成本的上升、废弃物数量的增加这样的不良情况。

另一方面，在专利文献2、3中揭示了如下的检测装置：将半导体器件载置在导电性比半导体器件大的基台上，使得表面电极用的探针与半导体器件的表面接触，同时使背面电极用的探针与未载置所述半导体器件的所述基台的露出部分接触。但是，这些专利文献2、3所揭示的检查装置是对单个存在的半导体器件进行检查的装置，不是在晶片状态下对半导体器件进行检查，对如何在晶片状态下对表背两面具有电极的半导体器件的特性进行高精度测定没有提供任何启示。

鉴于上述那样的状況，本申请的申请人在专利文献4中提出了以下这样的检查装置作为在晶片状态下对半导体器件进行检查的装置，该检查装置将与吸盘台的上表面电连接的连接器（ポゴピン）设置在吸盘台的周边部，通过使该连接器与连接于设置在上部的测试器的吸盘导引（チャックリード）板接触，来实现晶片基板的背面电极与测试器间的电路路径的缩短。该检查装置使得在晶片状态下高精度地测定在电力用半导体器件等的基板的两面具有电极的半导体器件的电特性成为可能，是比较优选的，但是如果有以其他的结构也能同样高精度地进行测定的检查装置，就更加理想了。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平5－333098号公报

专利文献2:日本特开2007－40926号公报

专利文献3:日本特开2008－101944号公报

专利文献4:日本特开2011－138865号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明正是鉴于上述现有技术的状况而作出的，其以提供能够在晶片状态下高精度地测定在晶片基板的两面具有电极的半导体器件的特性的、结构简单的半导体器件的检查装置和其所使用的吸盘台为课题。

用于解决课题的手段

本发明者的发明者们为了解决上述的课题而反复锐意研究，结果发现，通过取代所述专利文献5所揭示的连接器和吸盘导引板，而在吸盘台的形状上下功夫，能够以更简单的结构，缩短测试器和探针间的电气线路，能够在晶片状态下高精度地测定在晶片基板的两面具有电极的半导体器件的电特性，从而完成了本发明。