[发明专利]触摸屏传感器用Cu合金配线膜及其制造方法和触摸屏传感器及溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及与透明导电膜连接的触摸屏传感器用的Cu合金配线膜及其制造方法，以及使用了该Cu合金配线膜的触摸屏传感器及用于形成该Cu合金配线膜的溅射靶。

背景技术

配置在图像显示装置的前表面的、作为与图像显示装置一体型的输入开关使用的触摸屏传感器，由于其使用方便，除了银行的ATM、售票机、汽车导航、复印机的操作画面等以外，近年来还被广泛用于移动电话和平板PC。其输入点的检测方式，可列举电阻膜方式、静电容方式、光学式、超声波表面弹性波方式、压电式等。其中，由于静电容方式响应性良好、构造简单、成本低等的理由而被用于移动电话和平板PC。

静电容方式的触摸屏传感器，是经由玻璃基板、薄膜基板、有机膜、SiO₂膜等使两种透明导电膜直交的构造。若经由保护玻璃等用手指等触摸这样构成的触摸屏传感器表面，则透明导电膜间的静电容变化，触摸的地方被感知。

在制造上述触摸屏传感器的程序中，用于连接透明导电膜和控制电路的引导配线和连接透明导电膜间的金属配线等的配线，一般能够以喷墨等的印刷方法印刷银膏等的导电性膏和导电性墨水而形成。但是，在静电容式等要求微细的配线尺寸的触摸屏中，以这些手法不能应对，溅射成膜和由光刻进行的图案形成成为主流。关于配线材料，除了Ag合金以外，Al合金和Cu也得到研究。但是，由于Ag合金其材料成本高，Al合金其药液耐性和与ITO等的透明导电膜的接触电阻的问题，需要成为与Mo等层叠的构造。

另一方面，关于Cu虽然这些课题不构成问题，但Cu容易被氧化而形成Cu氧化膜，制造工序中的Cu表面的氧化造成的变色和电阻上升、膜的丧失成为问题。特别是在触摸屏传感器中，若配线膜本身的氧化进行，氧化膜的膜厚变厚，则由此导致透明导电膜和配线膜的连接电阻提高，成为信号延迟等的不良产生的原因。

在专利第4065959号公报和特开2007-17926号公报中，在液晶显示器等的显示装置领域，公开有耐氧化性优异的Cu合金，但在同领域，为了在基板上形成TFT和氧化硅及氮化硅，而利用至少达到200℃以上的热过程，使Cu合金膜中的添加元素析出而形成合金元素的氧化物层，从而实现耐氧化性的提高。但是在触摸屏的制造过程中，不需要达到200℃以上的程序，进行专利第4065959号公报和特开2007-17926号公报所公开的这种高温热处理，从生产率和保护树脂系基板的观点出发不合需要。

另外使用纯Ag、Ag合金、纯Al、Al合金的配线膜，存在与透明导电膜的密接性差，用于加工成配线形状的蚀刻困难，或招致剥离、断线等的不良这样的问题。

另一方面，关于纯Cu，虽然接触电阻的问题和药液耐性这样的课题不构成问题，但在与透明导电膜的密接性上存在问题。关于Cu配线的密接性的问题，例如在特开2008-166742号公报、特开2009-169268号公报、特开2010-103331号公报、特开2010-258347号公报、特开2010-258346号公报、特开2011-48323号公报中，有在液晶显示器等的显示装置领域，公开Cu配线膜的衬底的玻璃基板和层间绝缘膜的密接性优异的Cu合金。但是，在显示装置领域，因为是在加工成Cu配线后形成透明导电膜，所以，对于在触摸屏领域成为问题的Cu配线膜加工时的Cu配线膜与透明导电膜的密接性不需要进行考虑，关于Cu配线与透明导电膜的密接性完全没有进行研究。

发明内容

本发明着眼于上述这样的情况而形成，其目的在于，提供既将电阻率维持得很低，与透明导电膜的密接性和耐氧化性又优异的触摸屏传感器用配线膜和该配线膜的制造方法，以及使用了它的触摸屏传感器及适用于同配线膜形成的溅射靶。

在本发明中，透明导电膜和与所述透明导电膜连接的触摸屏传感器用的配线膜，是Cu合金配线膜，耐氧化性优异。，所述配线膜，其特征在于，含有从Ni、Zn和Mn所构成的群中选择的合金元素的至少一种，合计量为0.1～40原子％，余量是Cu和不可避免的杂质。

本发明的配线膜，其特征在于，具有包含如下的层叠构造：Cu合金(第一层)，其含有从Ni、Zn和Mn所构成的群中选择的合金元素的至少一种，合计量为0.1～40原子％；第二层，由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层低的Cu合金构成，所述第一层和所述第二层之中的至少一个与所述透明导电膜连接。

所述第一层，含有从Ni、Zn和Mn所构成的群中选择的合金元素的至少一种，合计量为0.1～30原子％，所述第一层可以与所述透明导电膜连接。

所述第一层的膜厚可以为5～100nm。