[发明专利]电源系统及其中的功率模块以及制作功率模块的方法

权利要求书

1.一种功率模块，其特征在于，包含：

一桥式电路，包含：

一第一桥臂，具有一第一端点、一第二端点及一第三端点，其中所述第一桥臂包含一第一半导体器件及一第二半导体器件，所述第一半导体器件与所述第二半导体器件电性连接于所述第一桥臂的所述第三端点；以及

一第二桥臂，具有一第一端点、一第二端点及一第三端点，其中所述第二桥臂包含一第三半导体器件及一第四半导体器件，所述第三半导体器件与所述第四半导体器件电性连接于所述第二桥臂的所述第三端点；

其中所述第一桥臂与所述第二桥臂并联相接，且所述第一桥臂与所述第二桥臂的电路位置基本上彼此对称，以减少所述第一、第二、第三及第四半导体器件操作时所产生的电压突波。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，还包含：

至少一电容桥臂，并联相接于所述第一桥臂和所述第二桥臂。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述电容桥臂相对于所述第一桥臂和相对于所述第二桥臂的电路位置基本上对称，以减少所述第一桥臂和所述第二桥臂操作时所产生的电压突波之间的差异。

4.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述电容桥臂包括一电容器，所述电容器并联相接于所述第一桥臂和所述第二桥臂，并配置于相对所述第一桥臂和所述第二桥臂的中间电路位置。

5.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述电容桥臂包括两电容器，所述两电容器分别与所述第一桥臂和所述第二桥臂并联相接，并配合所述第一桥臂和所述第二桥臂配置于基本上对称的电路位置。

6.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述电容桥臂包括一第一电容器、一第二电容器及一第三电容器，所述第一、第二及第三电容器并联相接于所述第一桥臂和所述第二桥臂，所述第一电容器配置于相对所述第一桥臂和所述第二桥臂的中间电路位置，所述第二及第三电容器配合所述第一桥臂和所述第二桥臂配置于基本上对称的电路位置。

7.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述第一桥臂与所述电容桥臂形成一第一回路，所述第二桥臂与所述电容桥臂形成一第二回路，且所述第一回路及/或所述第二回路中的电感值小于一第一预定值。

8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述第一回路与所述第二回路中的电感差值小于一第二预定值。

9.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述第一回路与所述第二回路中的电感基本上相同。

10.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一、第二、第三及第四半导体器件之间存在电感。

11.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一、第二、第三及第四半导体器件中每一者均具有一控制引脚以及一驱动引脚，所述控制引脚及所述驱动引脚相互配合以驱动相应半导体器件导通。

12.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一、第二、第三及第四半导体器件中至少两者为有源器件。

13.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一、第二、第三及第四半导体器件均为有源器件。

14.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一桥臂中的所述第一及第二半导体器件为有源器件。

15.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一桥臂中的所述第一及第二半导体器件中至少一者为有源器件，所述第二桥臂中的所述第三及第四半导体器件中至少一者为有源器件。

16.根据权利要求12至15中任一者所述的功率模块，其特征在于，所述有源器件为金属氧化物半导体场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管、碳化硅功率晶体管或氮化镓功率晶体管。

17.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述桥式电路设置于一交流转直流电路、一直流转交流电路、一直流转直流电路、一交流转交流电路或是一双向功率传递电路中。