[发明专利]一种氧化腐蚀去除硅纳米线太阳能电池表面缺陷层的方法

权利要求书

1.用于制备硅纳米线太阳能电池的二次氧化钝化方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）在（100）p或n型单晶硅上利用金属辅助湿法腐蚀方法形成纳米线；

（2）在硅纳米线表面形成一层氧化层

方案一：利用干氧氧化工艺在硅纳米线表面形成一层氧化层：

在氧气气氛下，氧气流量在20-80 sccm，温度在 800~900 ^oC，加热 10-30分钟，形成氧化层厚度在5~10 nm；

或方案二：利用体积浓度为20-30 %的双氧水室温浸泡硅纳米线10-30min；

（3）利用HF酸腐蚀氧化层

利用HF酸水溶液浸泡硅纳米线10-30min，去除氧化层。

2.如权利要求1所述的用于制备硅纳米线太阳能电池的二次氧化钝化方法，其特征在于：所述p型或n型单晶硅片的电阻率在1~30 Ωcm，厚度在150~220 μm。

3.  如权利要求1所述的用于制备硅纳米线太阳能电池的二次氧化钝化方法，其特征在于：所述HF酸为HF酸水溶液，摩尔浓度为1~3 %。