[发明专利]一种用于发光二极管的粗化方法

说明书

技术领域

 本发明涉及光电技术领域，特别是用于发光二极管的粗化方法。

背景技术

LED目前是市场上广泛应用的产品，随着光效的增加，其应用领域越来越广。粗化工艺是光电器件广泛应用的技术，尤其是在LED产品中。

现有技术中，在光电技术领域，尤其是LED芯片技术中，粗化工艺得到广泛应用，其中衬底的PSS（图形化衬底）结构，P-GaN的外延粗化，以及湿法刻蚀实现的N-GaN的表面粗化都得到了生产的实际应用。但是，这种方法粗化后的芯片亮度效果仍然不够理想。

发明内容

针对上述现有技术中的不足，本发明的目的是提供一种用于发光二极管的粗化方法。它通过在干法刻蚀前沉积一层介质层，使界面粗化，有效提高LED芯片的亮度。

    为了达到上述发明目的，本发明的技术方案以如下方式实现：

一种用于发光二极管的粗化方法，它包括衬底和在衬底上生长的外延片，其步骤为：

在器件加工面上沉积介质层；

在介质层上涂光刻胶进行光刻，形成图形；

在介质层上进行干法刻蚀，形成粗化表面。

在上述粗化方法中，所述介质层材料为ITO或者ZnO，沉积介质层的方法采用蒸镀或者溅射形成。

本发明由于采用了上述方法，在加工面上沉积介质层，然后进行干法刻蚀，使形成粗化表面，有效提高LED芯片的亮度。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。

附图说明

    图1至图2为本发明实施例中的粗化方法流程图。

具体实施方式

参看图1至图2，使用本发明方法的外延片1可以是GaN外延片，也可以是其他发光材料的外延片，或外延片的衬底。此处外延片1以GaN外延片为例。粗化方法的步骤为：

在器件加工面上沉积介质层2；介质层2材料为ITO或者ZnO，沉积介质层2的方法采用蒸镀或者溅射形成。

在介质层2上涂光刻胶3进行光刻，形成图形。

在介质层2上进行ICP刻蚀或者RIE刻蚀的干法刻蚀，形成粗化表面4。

本发明方法中的介质层2可以是整面的，也可以是图形化的，即器件局部没有介质层2。