[发明专利]一种用于发光二极管的粗化方法无效
| 申请号： | 201210508817.0 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855256A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王立彬;李宁宁 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 发光二极管 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于发光二极管的粗化方法，它包括衬底和在衬底上生长的外延片（1），其步骤为：
在器件加工面上沉积介质层（2）；
在介质层（2）上涂光刻胶（3）进行光刻，形成图形；
在介质层（2）上进行干法刻蚀，形成粗化表面（4）。
2.根据权利要求1所述的粗化方法，其特征在于，所述介质层（2）材料为ITO或者ZnO，沉积介质层（2）的方法采用蒸镀或者溅射形成。
3.根据权利要求1或2所述的粗化方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用ICP刻蚀或者RIE刻蚀。
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