[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：

提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成NMOS区域和PMOS区域；

形成NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管包括虚设栅极和虚设栅极绝缘层；

在所述NMOS晶体管之上沉积张应力层，所述张应力层为经过氮等离子体处理的张应力层；在所述NMOS晶体管之上沉积张应力层具体包括：

沉积步骤：全面性沉积一定厚度的张应力氮化硅膜；

处理步骤：在每一个沉积步骤之后，采用氮等离子体处理沉积得到的张应力氮化硅膜；

重复进行所述沉积步骤和处理步骤，直至获得期望厚度的张应力氮化硅膜；

图案化具有期望厚度的张应力氮化硅膜，从而获得所述张应力层；

在所述PMOS晶体管之上沉积压应力层；

全面性沉积介质层；

进行CMP工艺，暴露所述虚设栅极的上表面，并在所述张应力层和所述压应力层上方保留部分所述介质层；

依次去除所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层，形成栅极凹槽；其中在所述虚设栅极去除工艺中，NMOS区域的张应力氮化硅仅有小部分被腐蚀去除，而大部分得以保存；

在所述栅极凹槽中，分别形成所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的高K栅绝缘层和金属栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成NMOS晶体管和PMOS晶体管具体包括：

形成所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层；

形成栅极间隙壁；

形成晶体管的源漏区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沉积步骤中，采用PECVD工艺进行沉积，所述一定厚度的张应力氮化硅膜的厚度为10-1000埃，优选为30埃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理步骤中的氮等离子体处理采用N₂等离子体。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述PMOS晶体管之上沉积压应力层具体包括：

全面沉积压应力氮化硅膜，用图案化的光刻胶层保护位于所述PMOS晶体管的所述压应力氮化硅膜，去除位于所述NMOS晶体管的所述压应力氮化硅膜，然后去除光刻胶层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层为TEOS层。