[发明专利]三维集成高密度厚薄膜多芯片组件的集成方法

权利要求书

1.三维集成高密度多芯片组件的集成方法，其特征是：先按多层陶瓷厚膜基片常规工艺制作所需多层陶瓷厚膜基片，将所有对外进行电气连接的引脚制作在小多层陶瓷基片的同一端的端面或者两面；接着陶瓷厚膜基片表面进行化学机械抛光处理，减小LTCC表面粗糙度到0.1微米以内，在其表面采取高真空溅射或蒸发的方式，成型所需的薄膜导带-阻带网络；然后在每根引脚的键合区和底座多层陶瓷基片表面相应的键合区形成金球；再采用薄膜混合集成的方式进行半导体芯片或片式元器件的集成，在小多层陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后，采用共晶焊接、合金焊或浆料粘接的方式将集成后的小多层陶瓷基片垂直集成在底座多层陶瓷基片上。

2.  如权利要求1所述的方法，其特征在于所述多层陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成，在每一层中均含有金属化通孔、导带，内层有厚膜阻带，表层含有薄膜导带、薄膜键合区、经激光调阻后的薄膜阻带。

3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于所述金球是采用金丝球键合的方法或丝网印刷后再流焊的方法形成的。

4. 如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述多层厚膜陶瓷基片的粗糙度是通过化学机械抛光的方法进行处理的。

5. 如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述薄膜混合集成方式的薄膜是通过对陶瓷厚膜基片表面进行化学机械抛光后，在其表面采取高真空溅射或蒸发的方式，再经过薄膜光刻的方式形成的。

6. 如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述薄膜导带-阻带网络，是通过薄膜光刻、选择性腐蚀的方式形成的。