[发明专利]一种百米级高温超导Ni-W合金基带的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210489278.0 申请日: 2012-11-26
公开(公告)号: CN103147024A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 索红莉;王毅;马麟;刘敏;李孟晓;孟易辰 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C22F1/10 分类号: C22F1/10;B21B1/22
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 百米 高温 超导 ni 合金 基带 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种立方织构镍基带的制造方法,尤其涉及百米级高温超导Ni-W合金基带的制造方法,属于高温超导涂层韧性基带技术领域。 

背景技术

钇钡铜氧(YBa2Cu3O7-X)涂层高温超导带材是通常生长在带有隔离层的双轴织构金属基带上制备而成的。纯镍是一种被广泛使用的一种基带材料,这是因为纯镍具有良好的工作性能,退火后容易形成强立方织构。但是纯镍的强度不高,机械性能较差;常温下呈现铁磁性,使得涂层导体在高场下应用比较困难。 

镍的合金化是解决纯镍强度不高和去除铁磁性的有效途径,其中镍钨合金得到了广泛的关注。镍钨合金在剧烈冷轧和再结晶退火后可以得到强的立方织构,且合金的机械性能和抗氧化性更好.因此,Ni~W合金更易于商业化生产能在液氮温度(77k)和承载大电流的磁场环境中使用。目前对于立方织构镍基带的工艺有一些报道,但多属于短带样品(1-10m),有关百米级镍基带的生产工艺还未有过报道。 

发明内容

本发明的目的就是提供一种百米级立方织构镍基带的制造方法,能够制备出具有强立方织构{100}<001>的镍基合金,以满足外延生长高质量YBCO膜的基带材料的需要。 

本发明的一种百米级高温超导Ni-W合金基带的制造方法,其特征在于,采用真空感应熔炼制备Ni-W合金坯锭,使其纯度>99.99%,然后经过热锻、热轧、牵引轧制和动态退火处理得到百米级的基带,具体包括以下步骤: 

(1)坯锭的制备 

采用真空感应熔炼制备Ni-W合金坯锭,使其纯度>99.99%,合金成分W的摩尔百分比为5~9%;按照长2~5cm,宽4~10cm的尺寸进行锻造,然后经热轧得到厚度为10~30mm,长度和宽度分别为30~50mm的长方体NiW合金板材,将此长方体NiW合金板材进行电火花线切割得到10~20mm厚的初始坯锭。 

上述坯锭的制备更优选为:原料Ni粉和W粉的纯度均在99.9%以上,将镍粉和钨粉按一定比例配料,使得合金成分W的摩尔百分比为5~9%.放入真空感应炉中,在氩气的保护下以30KW的功率熔炼5~10min,之后调整为25KW保持2~5min,待熔清后在精炼3~5min,空冷后获得所需的铸锭;将熔炼后的铸锭去除冒口,按照长2~5cm,宽4~10cm的尺寸进行锻造,然后经热轧得到厚度为10~30mm,长度和宽度为30~50mm的长方体NiW合金板材,将长方体NiW合金板材进行电火花线切割得到10~20mm厚的初始坯锭。 

(2)牵引轧制 

轧制过程在千级超净间里进行,利用精密二辊轧机在室温下对步骤(1)得到的10~20mm厚的初始坯锭坯锭进行轧制,道次变形量控制在5%以内,总变形量大于97%,轧制后获得基带,基带平均厚度为40~80um,轧制过程中采用牵引轧制的方法,见图2:轧制速度为1~300mm/s,牵引力为小于等于1000N(优选小于等于300N,更优选为小于等于100N),轧制力为小于等于3000N(优选小于等于1000N,更优选为小于等于300N)。 

上述的轧制过程优选:调准轧制线,轧机润滑冷却系统启动供液,卷取机转动给基带前张力,机组运转开始第一道次的轧制。第二道轧制时,带材反向运动,第二道次工作开始时卷取机反向运行将钢带在卷筒上缠绕1-3圈。在牵引带轧制行进中,轧机前牵引力应大于后牵引力(一般为轧机前牵引力大于后牵引力5N),保证出带端带材的平直。对轧制过程的带材的厚度应及时测量,测 量过程中应略去轧制中油膜的影响达到精确测量。 

(3)动态退火 

采用立式动态退火装置,可参见图3,收带轮位于放带轮的垂直下方,保护气氛采用NH3分解气或采用Ar+H2混合气氛(其中体积4%H2),保护气氛从上部气体入口进入,于下部气体出口流出,基带由放带轮向收带轮以连续行进,实现带材的整个连续热处理过程;同时加热系统(退火炉)对基带进行退火,加热系统以5~30℃/min升温至1000~1200℃,保温0.5~3h后,2-3h冷却到室温。 

进一步步骤(3)同时在收带轮处有保护装置,在所收带材的同时增加包覆纸以保护最终带材不受损伤。 

本发明方法制备的百米级镍钨合金基带,立方织构含量>95%(<10°);表面光洁度为5~20nm;小角度晶界>90%(<10°);平均晶粒尺寸为30~50μm;基带长度为30~500m,尤其更能实现100-500m。 

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