[发明专利]LTPS薄膜及薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成导热绝缘层、缓冲层和非晶硅层；其中，所述导热绝缘层具有规则分布的图案；

对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述导热绝缘层所采用的材料为氮化铝、氮化硼、氧化铝和氧化镁中的任一种。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述导热绝缘层具有均匀散布的圆形或方形的图案。

4.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述圆形或方形的图案的尺寸在0.1μm~1μm之间。

5.如权利要求4所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述圆形或方形的图案的尺寸为0.5μm。

6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述导热绝缘层通过喷涂方式形成，或者通过磁控溅射和曝光刻蚀工艺形成。

7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述非晶硅层进行高温处理和激光退火的具体过程为：

在400-500℃的温度下，对所述非晶硅层进行0.5-3小时的高温处理；

对高温处理后的所述非晶硅层进行准分子激光退火，激光脉冲频率为300Hz，重叠率为92%-98%，激光能量密度为200-500mJ/cm²。

8.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多晶硅薄膜，并通过构图工艺形成TFT的有源层；

其中，所述多晶硅薄膜是通过权利要求1-7中任一项所述的低温多晶硅薄膜制备方法制得。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，还包括：

在所述有源层的上方形成栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层、以及源电极和漏电极；所述源电极和漏电极分别通过绝缘层过孔与所述有源层的两端相连。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在所述有源层的上方形成栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层、以及源电极和漏电极的具体过程包括：

在所述有源层的上方沉积栅绝缘层；

利用掩模工艺对所述有源层两端的区域进行掺杂处理，从而在所述有源层的两端形成欧姆接触区域；

在所述栅绝缘层上方形成栅金属薄膜，并通过构图工艺形成栅电极的图案；

在所述栅电极上方形成层间绝缘层，并通过构图工艺形成贯穿所述栅绝缘层和层间绝缘层的绝缘层过孔，从而露出所述有源层两端的欧姆接触区域；

在所述层间绝缘层上方形成源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述绝缘层过孔与所述有源层两端的欧姆接触区域相连。

11.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用权利要求8-10任一项所述的方法制得。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管的有源层下方形成有缓冲层和导热绝缘层。

13.一种阵列基板，其特征在于，包含权利要求11或12所述的薄膜晶体管。

14.一种显示装置，其特征在于，包含权利要求13所述的阵列基板。