[发明专利]一种BeMgZnO基MSM日盲探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种BeMgZnO基的MSM结构紫外探测器，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有薄膜层；薄膜层上制作有作为金属接触的叉指电极图形，叉指电极之间的间隙部分为感光区域；其特征在于：所述薄膜层为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度为200nm～1um；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度，其禁带宽度为3.37eV～6.2eV。

2.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于：所述衬底为单晶、氮化镓、砷化镓、氧化镁、单面或双面抛光的蓝宝石；衬底为双面抛光的蓝宝石时，双面抛光的蓝宝石的取向是c、R或a取向。

3.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于：缓冲层由氧化铍、镁、氧化镁和氧化锌中的一种或一种以上材料形成，缓冲层的厚度为10nm-100nm。

4.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于：所述叉指电极由钛、铝、镍、金、铂、银、铱、钼、钽、铌、钴、锆和钨中的一种或一种以上形成，叉指电极的沉积厚度为10nm～500nm。

5.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于：叉指电极上沉积有金层或银层，该金层或银层的厚度10nm～1000nm。

6.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于：叉指电极的对数为30~50，叉指电极的间距和指宽分别为8μm和3μm。

7.如权利要求1-6任一项所述的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）清洗衬底：在硫酸：盐酸体积比为3:1的酸中加热15min～30min，之后经过丙酮、异丙醇清洗，然后用去离子水冲干净，最后用氮气枪吹干；在装入生长腔之后，用500^oC～900^oC的高温处理15min～60min，去除衬底表面的水蒸汽和残留的有机物；

2）生长缓冲层：在高温处理衬底后，在衬底上生长缓冲层；

3）生长薄膜层：在缓冲层上生长薄膜层，薄膜层为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度为200nm～1um；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV～6.2eV；

4）制作叉指电极：在薄膜层制作叉指电极；在制作该层之前必须先用丙酮或异丙醇IPA化学试剂对步骤3）中的产物进行表面清洗，以得到干净平整的表面；然后用光刻方法对其表面涂胶甩胶、曝光、显影后得出叉指状结构的图形；最后用电子束蒸镀的方法在其上面镀上叉指电极。

8.根据权利要求7的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器的制备方法：步骤2）中，在衬底上通过分子束外延、化学气相沉积、磁控溅射）或脉冲激光沉积生长缓冲层。

9.根据权利要求7的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器的制备方法，其特征在于：步骤3）中，在缓冲层上通过分子束外延、化学气相沉积、磁控溅射或脉冲激光沉积生长薄膜层。

10.根据权利要求7的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器的制备方法，其特征在于：步骤4）中，在叉指电极上继续沉积金层或银层，该金层或银层的厚度10nm～1000nm。