[发明专利]具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉积设备无效
| 申请号： | 201210465904.2 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103820770A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘祥林 | 申请（专利权）人： | 刘祥林 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 个子 反应器 结构 金属 有机化学 沉积 设备 | ||
1.一种具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备，其特征在于，包括：
共用气路(101)，所述共用气路(101)包括MO源、氮气、氨气、氢气气路；反应室(160)，每个反应室包括多个子反应器(161)；
子反应器分气装置(111)，从所述共用气路(101)得到子反应器(161)中MOCVD外延所需要的各种气氛，控制各种气体的流量；
压强控制系统(170)，控制整个反应室(160)的压强；
其中所述子反应器(161)包括：
子反应器匀气罩(121)，控制子反应器中的气流状态；
子反应器旋转轴(151)，带动子反应器衬底托盘(131)旋转；
子反应器衬底托盘(131)，由子反应器旋转轴(151)带动进行转动；
子反应器加热器(141)，用来对子反应器衬底托盘(131)加热。
2.根据权利要求书1所述的MOCVD设备，其特征在于，反应室(160)包括多个完全相同的子反应器(161)，这些子反应器(161)通过子反应器分气装置(111)与共用气路(101)连接；通过对每个子反应器(161)的流场、温场和各种反应气体的流量控制得到一致的外延薄膜或器件结构。
3.根据权利要求书1所述的MOCVD设备，其特征在于，反应室(160)可以包含2个或2个以上的子反应器(161)。
4.根据权利要求书1所述的MOCVD设备，其特征在于，子反应器(161)是立式反应器或是水平式反应器，但每个设备中的所有子反应器(161)的结构一致。
5.根据权利要求书1所述的MOCVD设备，其特征在于，多个子反应器(161)利用子反应器分气装置(111)从共用气路(101)中得到生长气体，利用子反应器分气装置(111)控制通入各子反应器(161)的气体流量，使子反应器(161)的反应气体和载气的流量相同。
6.根据权利要求书1所述的MOCVD设备，其特征在于，多个子反应器(161)具有相同的加热器，通过单独控制得到相同的温度，加热方式是电极加热、高频加热或是光辐射加热。
7.根据权利要求书1所述的MOCVD设备，其特征在于，每个反应室(160)中的多个子反应器(161)共用一个压力控制系统，以得到相同的生长压力。
8.根据权利要求书1所述的MOCVD设备，其特征在于，每台MOCVD设备具有一个反应室(160)或多个反应室(160)。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
