[发明专利]大功率COB封装LED结构及其晶圆级制造工艺

权利要求书

1.一种大功率COB封装LED结构，其特征在于：包括位于底层的子基板（9）、形成于所述的子基板（9）上的布线电极与互联线路、与所述的布线电极相对应的芯片电极、位于所述的芯片电极上方的p型GaN层（3）、有源区（4）、n型GaN层（5）、以及覆盖于所述的n型GaN层（5）上方的荧光粉层（12），其中，所述的布线电极与芯片电极键合在一起。

2.根据权利要求1所述的大功率COB封装LED结构，其特征在于：所述的布线电极包括子基板p型金属电极区域（7）、子基板n型金属电极区域（8），所述的子基板p型金属电极区域（7）、子基板n型金属电极区域（8）通过互联线路实现串和/或并联，所述的芯片电极包括芯片p型金属电极（1）、芯片n型金属电极（2），所述的子基板p型金属电极区域（7）、子基板n型金属电极区域（8）与所述的芯片p型金属电极（1）、芯片n型金属电极（2）相对应键合后分别形成键合后p型电极区域（10）、键合后n型电极区域（11）。

3.根据权利要求1所述的大功率COB封装LED结构，其特征在于：所述的荧光粉层（12）构成保形涂层结构。

4.一种大功率COB封装LED结构的晶圆级制造工艺，其特征在于：包括依次进行的如下步骤：

a)在蓝宝石基板（6）的外延片上依次沉积p型GaN层（3）、有源区（4）、n型GaN层（5），进行芯片分割后，在每个芯片单元上制备芯片电极；

b)在子基板（9）上蒸镀形成布线电极与互联线路，所述的布线电极与芯片电极的位置和图形一一对应；

c)通过电极金属键合将蓝宝石晶圆与子基板（9）面对面结合在一起，使得蓝宝石基板（6）上每个芯片电极与子基板（9）上布线电极对应的区域键合； 

d)去除蓝宝石基板（6），以使芯片转移至子基板（9）；

e)在子基板晶圆表面涂覆感光荧光粉溶剂； 

f)去除芯片以外区域的荧光粉溶剂形成最终的荧光粉层（12）。

5.根据权利要求4所述的大功率COB封装LED结构的晶圆级制造工艺，其特征在于：所述的布线电极包括子基板p型金属电极区域（7）、子基板n型金属电极区域（8），所述的子基板p型金属电极区域（7）、子基板n型金属电极区域（8）通过互联线路实现串和/或并联，所述的芯片电极包括芯片p型金属电极（1）、芯片n型金属电极（2），所述的子基板p型金属电极区域（7）、子基板n型金属电极区域（8）与所述的芯片p型金属电极（1）、芯片n型金属电极（2）相对应键合后分别形成键合后p型电极区域（10）、键合后n型电极区域（11）。

6.根据权利要求4所述的大功率COB封装LED结构的晶圆级制造工艺，其特征在于：所述的荧光粉层（12）构成保形涂层结构。

7.根据权利要求4所述的大功率COB封装LED结构的晶圆级制造工艺，其特征在于：所述的子基板（9）由导热性好的非导电材料制成。

8.根据权利要求4所述的大功率COB封装LED结构的晶圆级制造工艺，其特征在于：在所述的步骤d）中，通过化学剥离或激光剥离的方法去除蓝宝石基板（6）。

9.根据权利要求4所述的大功率COB封装LED结构的晶圆级制造工艺，其特征在于：在所述的步骤e）中，在子基板晶圆表面通过旋涂的方式涂覆感光荧光粉溶剂。

10.根据权利要求4所述的大功率COB封装LED结构的晶圆级制造工艺，其特征在于：在所述的步骤f）中，通过光刻制程去除芯片以外区域的荧光粉溶剂。