[发明专利]发光显示背板、显示装置和像素界定层的制备方法有效
申请号: | 201210455346.1 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN102945855A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 姜春生;王东方;陈海晶 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示 背板 显示装置 像素 界定 制备 方法 | ||
1.一种发光显示背板,包括:基板和设置在所述基板上的像素界定层,其特征在于,所述像素界定层包括:
自下而上依次设置的第一感光性树脂层、透明的第一界定层和透明的第二界定层;
在每一像素的对应区域,所述第一感光性树脂层、第一界定层和第二界定层均设置有开口,且所述第一界定层的开口小于所述第二界定层及所述第一感光性树脂层的开口,以形成下宽上窄的发光材料填充域。
2.根据权利要求1所述的发光显示背板,其特征在于,
所述第二界定层由疏水性材料形成。
3.根据权利要求2所述的发光显示背板,其特征在于,
所述第二界定层为硅氮化物薄膜。
4.根据权利要求1-3任一项所述的发光显示背板,其特征在于,
所述第一界定层由亲水性材料形成。
5.根据权利要求4所述的发光显示背板,其特征在于,
所述第一界定层为硅氧化物薄膜。
6.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1-5任一项所述的发光显示背板。
7.一种发光显示背板的像素界定层的制备方法,所述发光显示背板,包括:基板和设置在所述基板上的像素界定层,其特征在于,所述方法包括:
依次形成第一感光性树脂层、第一界定层、第二界定层和第二感光性树脂层,所述第一界定层和所述第二界定层均透明;
进行曝光,使每一像素对应区域的所述第二感光性树脂层及其下方的所述第一感光性树脂层均感光;
去除每一像素对应区域感光的所述第二感光性树脂层,暴露所述第一界定层;
进行刻蚀,使暴露出的所述第一界定层及下层的所述第二界定层在每一像素的对应区域形成开口,其中,进行刻蚀时,所述第二界定层的刻蚀速率小于所述第一界定层的刻蚀速率,以使所述第二界定层的开口小于所述第一界定层的开口。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,还包括:
去除每一像素对应区域感光的所述第一感光性树脂层。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
所述第二界定层由疏水性材料形成。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
所述第二界定层为硅氮化物薄膜。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,
所述第一界定层由亲水性材料形成。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,
所述第一界定层为硅氧化物薄膜。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,
采用干法刻蚀对暴露出的所述第一界定层及下层的所述第二界定层进行刻蚀。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,
采用湿法刻蚀对暴露出的所述第一界定层及下层的所述第二界定层进行刻蚀,且所使用的刻蚀液对硅氮化物的刻蚀速率比对硅氧化物的刻蚀速率小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的