[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，至少包含栅极结构；

在所述栅极两侧形成凹槽并在所述凹槽中外延生长SiGe层；

对所述栅极两侧的SiGe层进行低能量的P型掺杂，形成源漏区，以降低接触电阻。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包含位于NMOS区的NMOS栅极结构和位于PMOS区的PMOS栅极结构；

在所述衬底上形成遮蔽材料层；

在所述NMOS区上形成掩膜层，在所述PMOS栅极两侧形成凹槽并在所述凹槽中外延生长SiGe层；

对所述PMOS栅极两侧的SiGe层进行低能量的P型掺杂，以形成PMOS源漏区；

在所述PMOS区上形成掩膜层，对所述NMOS区的遮蔽材料层进行蚀刻以在所述NMOS栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁；

对所述NMOS区进行源漏注入，以形成NMOS源漏区。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述掺杂的能量为200ev～5kev。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述掺杂的浓度为5E13~1E15原子/cm³。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述掺杂的掺杂剂为B或BF₂。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述掺杂的方法为低能量的离子注入或者等离子掺杂。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

在执行P型掺杂之前，在所述SiGe层上形成覆盖层。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述SiGe层为复合层，所述SiGe层包含多个底部材料层以及位于所述多个底部材料层上的顶部材料层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述顶部材料层为SiGe、Si或含B的Si层。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述凹槽为∑形凹槽。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在形成所述源漏区后，执行退火的步骤。

12.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在形成所述NMOS源漏区后，执行退火的步骤。

13.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

在对所述NMOS区进行源漏注入前，在所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构的侧壁上形成间隙壁。

14.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成遮蔽材料层，然后在NMOS上形成图案化光刻胶，蚀刻所述遮蔽材料层在所述PMOS栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁。

15.根据权利要求2或13所述的方法，其特征在于，所述偏移壁为氮化物、氧化物或两者的组合。

16.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶层。

17.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述遮蔽材料层为氮化物、氧化物或两者的组合。