[发明专利]集成信号加载器的半导体光发射装置

权利要求书

1.一种集成信号加载器的半导体光发射装置，其特征在于，包括：衬底，形成在衬底上的增益元件，集成在所述衬底上的信号加载器，形成在所述衬底上的局部反射器，在衬底的两端镀设有光学功能薄膜，在靠近所述衬底形成有所述增益元件的一端的外部设有反射镜，其构成所述增益元件的外谐振腔，所述衬底上无源区域的长度是所述衬底上的有源区域的长度的0.5-0.95倍。 

2.如权利要求1所述的光发射装置，所述信号加载器为Mach-Zehnder光干涉仪。 

3.如权利要求1所述的光发射装置，所述局部反射器选自：一蚀刻小平面、环形反射镜、分布式布拉格反射镜。 

4.如权利要求1所述的光发射装置，还包括：饱和吸收器，它与衬底构成一体，并使所述增益元件和局部反射器耦合。 

5.如权利要求1所述的光发射装置，在增益元件所在的衬底上具有带隙波长为1570nm的有源层。 

6.如权利要求1所述的光发射装置，所述衬底上的有源区域是指形成有所述增益元件的区域。 

7.如权利要求1所述的光发射装置，所述衬底上的无源区域是指除所述有源区域之外的其它区域。