[发明专利]一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法

权利要求书

1.一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在需要制作钝化层的硅片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂和烘烤；

（2）在非感光性聚酰亚胺上进行光刻胶的旋涂和烘烤；

（3）用具有钝化层图形的掩模版进行浅层曝光，在光刻胶上形成钝化层图形的潜影；

（4）用硅烷化剂对上述具有钝化层图形潜影的光刻胶进行硅烷基化处理，将钝化层图形的潜影转化成硅烷基化图形；

（5）以上述硅烷基化图形为掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺，形成钝化层图形；

（6）用光刻胶剥离液除去光刻胶以及硅烷基化图形；

（7）将图形化的非感光性聚酰亚胺进行固化，获得所需的非感光性聚酰亚胺钝化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，根据工艺需求，所述硅片上的顶层金属铝线已经形成，或者所述硅片上的顶层金属铝线以及介质膜钝化层的图形已经形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述硅片上的顶层金属铝线以及介质膜钝化层的图形已经形成，其形成过程包括：在硅片上形成顶层金属铝线,然后沉积介质膜钝化层，在顶层金属铝线的上面刻蚀介质膜钝化层形成焊盘。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的非感光性聚酰亚胺是指其对波长436纳米的G-line，波长365纳米的I-line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中的任意一种或多种光不具有光敏性。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的非感光性聚酰亚胺经旋涂和烘烤后的薄膜厚度为1-50微米，其烘烤温度为50-200℃，烘烤时间为30秒-2小时。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的光刻胶在曝光前不含羟基和羧酸基成分，经曝光后能生成羟基或/和羧酸基成分。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的光刻胶经旋涂和烘烤后的厚度为0.5-10微米。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的浅层曝光光源是波长436纳米的G-line，波长365纳米的I-line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中的任意一种。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的浅层曝光光源是波长365纳米的I-line。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的钝化层图形的潜影的深度是光刻胶厚度的10%-60%。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述的硅烷化剂包括六甲基二硅氮烷，四甲基二硅氮烷，二甲基甲硅烷二甲胺，N,N-二乙氨基三甲基硅烷。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述的硅烷化剂是六甲基二硅氮烷。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述的硅烷基化处理是将步骤(3)所获得的具有钝化层图形潜影的光刻胶暴露于液态或气态的所述硅烷化剂中，进行化学反应，其反应温度为50-150℃，反应时间为30-300秒。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的干法刻蚀是以氧气为主要刻蚀气体的等离子体干法刻蚀，其氧气流量为50-2000标准状态的立方厘米/分钟，源射频功率为100-1500瓦，气体压力为20-2000毫托。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的光刻胶剥离液能够剥离去除光刻胶，但不能剥离去除非感光性聚酰亚胺，所述的光刻胶剥离液包括丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚或两者的混合物。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(7)中，所述的固化温度为200-500℃，固化时间为30-120分钟。