[发明专利]大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法

权利要求书

1.一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、印刷电路板正面印刷高温锡膏；

b、将普通元器件贴装在印刷电路板正面；

c、将贴装好普通元器件的印刷电路板放入高温回流焊炉中进行焊接；

d、在印刷电路板反面贴双面胶；

e、印刷电路板反面印刷低温锡膏；

f、去除双面胶隔离膜；

g、将光电器件贴装在印刷电路板反面的双面胶上；

h、将贴装好光电器件的印刷电路板放入低温回流焊炉中进行焊接。

2.根据权利要求1所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的高温锡膏为熔点高于180℃的焊锡膏。

3.根据权利要求2所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的高温锡膏包括无铅锡膏和有铅锡膏，无铅锡膏为熔点为217度-227度的Sn-Ag-Cu(锡/银/铜)合金焊锡膏，有铅锡膏为熔点为183度的Sn-Pb(锡/铅)合金焊锡膏。

4.根据权利要求1所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的普通元器件包括电阻、电容、电感、二极管、集成芯片、晶振、连接器、按键和插座，所述的普通元器件通过SMT技术贴装在印刷电路板正面。

5.根据权利要求1所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的高温回流焊炉的最高温度为220℃至280℃。

6.根据权利要求1所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的低温锡膏为熔点低于160摄氏度的焊锡膏。

7.根据权利要求6所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的低温锡膏为熔点为138摄氏度的锡铋合金焊锡膏。

8.根据权利要求1所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的光电器件包括发光二极管、光电二极管或光电三极管。

9.根据权利要求8所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的发光二极管为普通环氧树脂封装，包括红外发光二极管和可见光发光二极管；所述的光电二极管、光电三极管均为普通环氧树脂封装，其中光电二极管包括红外光电二极管和可见光光电二极管；所述的光电三极管包括红外光电三极管和可见光光电三极管。

10.根据权利要求8所述的一种大规模阵列式光电收发传感器的高效制作方法，其特征在于，所述的光电器件上表面为平面或圆形面。