[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210422891.0 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794499B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：
提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括顶层硅层、底层硅层和位于顶层硅层和底层硅层之间的掩埋层；
在所述顶层硅层表面形成硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露顶层硅层表面的第一开口；
沿第一开口，刻蚀所述顶层硅层，形成暴露所述掩埋层表面的第二开口；
在所述第二开口的侧壁形成第一隔离层；
沿第二开口刻蚀所述掩埋层，形成暴露底层硅层表面的第三开口；
在第一开口、第二开口和第三开口内填充满外延硅层，外延硅层和底层硅层构成背栅；
在所述外延硅层的顶部表面形成第二隔离层；
去除所述硬掩膜层，暴露所述第二隔离层和部分外延硅层的侧壁；
在所述第二隔离层和暴露的部分外延硅层的侧壁以及顶层硅层的表面形成侧墙；
以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述顶层硅层，形成环绕所述外延硅层的鳍部。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度大于等于20纳米。
3.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层为无定形碳、SiN、SiON、SiCN、SiC或BN中的一层或多层的堆叠结构。
4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的宽度大于等于10纳米。
5.如权利要求4所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙为无定形碳、SiN、SiON、SiCN、SiC或BN中的一层或多层的堆叠结构。
6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料为氧化硅，第一隔离层的形成工艺为热氧化工艺。
7.如权利要求6所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为大于等于10埃。
8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的材料为氧化硅，第二隔离层的形成工艺为热氧化工艺。
9.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的厚度为大于等于30埃。
10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述背栅中还掺杂有N型或P型的杂质离子。
11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述鳍部的远离第一隔离层一侧的侧壁表面形成栅介质层；形成横跨所述鳍部的栅电极，所述栅电极覆盖所述栅介质层、第二隔离层和侧墙的表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
