[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201210422429.0 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794547A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底上形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上形成低k介质层；
在所述低k介质层上形成硬掩膜层；
在所述硬掩膜层上形成金属玻璃硬掩膜层；
在所述金属玻璃硬掩膜层上形成底部抗反射涂层和图案化的光刻胶；
所述硬掩膜层和所述金属玻璃硬掩膜层构成金属硬掩膜层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层材料为氮化钛、氮化铝或氮化硼。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属玻璃硬掩膜层材料为AlxM1-x,其中M为Ti、Cr、Zr、Ni或Cu。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属玻璃硬掩膜层的制备方法为固化反应方法。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述固化反应方法包括交替沉积多层Al层和M层，然后进行一退火步骤。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述退火的温度低于所述金属玻璃硬掩膜层中玻璃变相的温度。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属玻璃硬掩膜层的制备方法为共溅射。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属玻璃硬掩膜层中x为0.5%～0.95%。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层和所述金属玻璃硬掩膜层的厚度均小于5nm。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属玻璃硬掩膜层还包括Cr、Zr、Ni、Cu、Fe、Pt、Si、P或N中一种或几种。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，依次刻蚀所述金属玻璃硬掩膜层和所述硬掩膜层。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，刻蚀所述硬掩膜层后，所述金属硬掩膜层顶部形成锥形沟槽结构。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的锥形沟槽结构在整体刻蚀后进一步的增大。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
