[发明专利]高电子迁移率晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210421462.1 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367418A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 姚福伟;游承儒;黄敬源;许竣为;余俊磊;杨富智;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：
第一III-V化合物层；
第二III-V化合物层，位于所述第一III-V化合物层上并且在成分上不同于所述第一III-V化合物层，其中，载流子沟道沿所述第一III-V化合物层和所述第二第一III-V化合物层之间的界面设置在第一III-V化合物层中；
硅化物源极部件和硅化物漏极部件，通过所述第二III-V化合物层与所述第一III-V化合物层接触；以及
栅电极，位于所述第二III-V化合物层在所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件之间的部分的上方。
2.如权利要求1所述的HEMT，其中，所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件中的每个都包括硅以及包含Ti、Co、Ni、W、Pt、Ta、Pd和Mo中的至少一种的金属。
3.如权利要求1所述的HEMT，其中，所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件均接触所述载流子沟道。
4.如权利要求1所述的HEMT，进一步包括位于所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件中的每个上的欧姆金属元件。
5.如权利要求4所述的HEMT，其中，所述欧姆金属元件包括Al、Ti、Cu、Mo、Ti或者Ni。
6.如权利要求4所述的HEMT，其中，所述欧姆金属元件至少部分嵌入所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件中的每个中。
7.如权利要求1所述的HEMT，其中，所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件中的每个至少部分嵌入所述第二III-V化合物层和部分所述第一III-V化合物层中。
8.一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：
位于衬底上的氮化镓(GaN)层；
位于所述GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；
间隔开并且位于所述AlGaN层上的硅化物源极部件和硅化物漏极部件，其中，所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件均都具有凹形顶面；
位于所述AlGaN层在所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件之间的部分上方的栅电极。
9.如权利要求8所述的HEMT，其中，载流子沟道设置在所述GaN层和所述AlGaN层之间，所述载流子沟道包括位于所述栅电极下方的耗尽区。
10.一种形成高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法，所述方法包括：
在第一III-V化合物层上外延生长第二III-V化合物层；
部分地蚀刻所述第二III-V化合物层以在所述第二III-V化合物层中形成两个通孔；
在所述两个通孔的每个中都形成硅部件；
在每个硅部件上沉积金属层；
对所述金属层和每个硅部件实施退火以形成相应的硅化物源极/漏极部件；以及
在所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件之间的所述第二III-V化合物层上方形成栅电极。
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