[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及一种发光器件、发光器件封装、照明装置及显示装置。

背景技术

基于氮化镓（GaN）的金属有机化学气相沉积和分子束生长技术的发展，已经研制出能够实现高亮度和白光的红色、绿色和蓝色发光二极管（LED）。

这种LED不包含在诸如白炽灯或荧光灯等现有的照明装置中使用的特定的对环境有害的物质（例如汞(Hg)），并因此而具有优异的对环境友好、寿命长和功耗低特性，所以被用作现有的光源的替代物。关乎这种LED的竞争力的关键因素是基于具有高效率和高功率的芯片和封装技术实现高亮度。

为了实现高亮度，至关重要的是对光提取效率的提高。为提高光提取效率，正在进行多种使用倒装芯片结构、表面毛化、蓝宝石衬底(PSSs)图案化、光子晶体技术和抗反射层结构等的方法研究。

通常，发光器件可包括用以产生光的发光结构、用以接收电力的第一电极和第二电极、用以扩散光的电流阻挡层、欧姆接触该发光结构的欧姆层、以及用以提高光提取效率的反射层。在韩国专利特开公开号10-2011-0041270中公开了通常的发光器件的结构。

发明内容

本发明的实施例提供一种发光器件，用以按照各种亮度等级控制光的发射，并增加发光区的面积。

在一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，被划分成多个发光区，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区；第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上；第二电极单元，被设置在所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层上；至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区中的第一半导体层电连接至相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及中间焊盘，被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第二半导体层上，其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。

在另一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，被划分成多个发光区，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区；第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上；第二电极单元，被设置在所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层上；至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区中的第一半导体层电连接至相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及中间焊盘，被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第一半导体层上，其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。

该中间焊盘可被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第二半导体层上，其中所述至少一个发光区不是设置有该第一电极单元和第二电极单元的发光区。可选地，该中间焊盘可被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第一半导体层上，其中所述至少一个发光区不是设置有该第一电极单元和第二电极单元的发光区。

所述第一电极单元和第二电极单元的每一个可包括用以接收电力的焊盘。

该中间焊盘可被电连接至设置在同一发光区中的连接电极。

所述发光器件还可包括：绝缘层，被设置在所述发光区和所述边界区中，其中所述连接电极被设置在所述绝缘层上。

所述中间焊盘可与同一发光区中的该绝缘层上的所述连接电极隔开。可选地，所述中间焊盘可与同一发光区中的该绝缘层上的所述连接电极结合形成。所述连接电极可包括穿过所述绝缘层并接触相邻发光区的一个发光区中的第二半导体层的第一部分。所述连接电极还可包括穿过该绝缘层、第二半导体层以及有源层并接触相邻发光区的另一个发光区中的第一半导体层的第二部分，其中该绝缘层被设置在该第二部分与第二半导体层之间、并被设置在该第二部分与有源层之间。

所述连接电极的第二部分的下表面可被设置得低于该有源层的下表面。

所述发光器件还可包括：衬底，被设置在该发光结构之下；以及导电层，被设置在发光区与该绝缘层之间。

所述第二部分可穿过该导电层。该绝缘层可被设置在该第二部分与该导电层之间。

该第一电极单元可接收第一电力，而所述第二电极单元和该中间焊盘的至少一个可接收第二电力。可选地，该第一电极单元和该中间焊盘可接收第一电力，而该第二电极单元可接收第二电力。

在另一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，被划分成多个发光区，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区；第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上；多个金属层，被设置在各发光区的第二半导体层之下；