[发明专利]具有界面绒化层的GaP基发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括： 

P-GaP衬底， 

在P-GaP上依次外延生长的p-GaP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；其特征在于， 

在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中， 

界面绒化层为n-(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，其中x为0.2～0.3，y为0.35～0.45； 

界面绒化层的掺杂浓度为1×10²⁰～5×10²¹，界面绒化层的外延厚度优选为0.1～0.3微米。 

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于， 

界面绒化层的掺杂浓度为5×10²⁰～1×10²¹；界面绒化层的外延厚度为0.15～0.2微米。 

3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于， 

布拉格反射层为p-InP/p-AlxGa1-xAs，x为0～0.7。 

4.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于， 

p型包覆层为p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.6～1，y为0.4～0.6。 

5.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于， 

有源层为未掺杂(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0～0.5，y为0.4～0.6。 

6.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于， 

n型包覆层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.6～1，y为0.4～0.6。 

7.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于， 

所述电流扩展层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x为0～1，y为0.45～0.55。 

8.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 

（1）在300℃-500℃的温度下，对P-GaP衬底进行表面处理，去除水气。 

（2）生长p-GaP缓冲层。 

（3）生长布拉格反射层p-InP/p-AlxGa1-xAs，其中x为0～0.7； 

（4）生长p型包覆层p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x为0.6～1，y为0.4～0.6； 

（5）生长有源层未掺杂(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中，x为0～0.5，y为0.4～0.6； 

（6）生长n型包覆层n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x为0.6～1，y为0.4～0.6； 

（7）形成电流扩展层，n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x为0～1，y为0.45～0.55，电流扩展层的掺杂浓度为1×10²⁰～1×10²¹，厚度为3000～5000nm； 

（8）生长界面绒化层：首先外延生长界面层n-(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；然后经过蚀刻使界面层表面绒化成为界面绒化层，蚀刻液为氢氟酸和甲醇的混合液； 

（9）生长欧姆接触层9。 

9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于， 

界面绒化层的掺杂浓度为1×10²⁰～5×10²¹；界面绒化层的外延厚度为0.1～0.3微米。 

10.如权利要求8或9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于， 

界面绒化层8的掺杂浓度为5×10²⁰～1×10²¹，界面绒化层的外延厚度为0.15～0.2微米。